[发明专利]一种有机半导体器件超临界处理方法有效
| 申请号： | 202110985897.8 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113856237B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张冠张;李蕾;刘凯 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | B01D11/02 | 分类号： | B01D11/02 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 半导体器件 临界 处理 方法 | ||
1.一种有机半导体器件超临界处理方法，其特征在于，包括：
提供一有机半导体器件、第一物质以及二氧化碳；
对所述第一物质进行超临界化处理，使得所述第一物质处于超临界态，所述第一物质的临界温度T1小于所述二氧化碳的临界温度T2；
通过超临界态的第一物质对所述二氧化碳进行处理，以得到超临界态的二氧化碳；所述超临界态的二氧化碳为溶解在超临界态的第一物质中的二氧化碳；
通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件进行杂质萃取。
2.如权利要求1所述的有机半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述第一物质为含碳元素的饱和键化合物或惰性气体或氮气。
3.如权利要求2所述的有机半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述第一物质为四氟化碳或氮气。
4.如权利要求1所述的有机半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述对所述第一物质进行超临界化处理，处理温度T为T1≤T＜T2。
5.如权利要求1所述的有机半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述二氧化碳的质量分数小于或等于5％，或所述二氧化碳体积分数小于或等于5％。
6.如权利要求1所述的有机半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件进行杂质萃取包括：
通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件的有机材料结构进行杂质萃取；
其中，所述有机半导体器件为完成所述有机材料结构制备至封装完成中任意一工艺过程的有机半导体器件。
7.如权利要求6所述的有机半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述有机材料结构的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
8.如权利要求1所述的有机半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述杂质为有机杂质和水中的至少一种。
9.如权利要求4所述的有机半导体器件超临界处理方法，其特征在于，处理温度T为T≤Tm，Tm＜T2，Tm为所述有机半导体器件的极限工作温度。
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