[发明专利]一种Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构在审
申请号: | 202110985935.X | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113671601A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 章普 | 申请(专利权)人: | 湖北科技学院 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00;G02F1/01;G02F3/02 |
代理公司: | 武汉明正专利代理事务所(普通合伙) 42241 | 代理人: | 江沣 |
地址: | 437000 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 octonacci 序列 光子 多层 石墨 复合 结构 | ||
1.一种Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构,其特征在于,包括Octonacci序列光子多层和石墨烯层,所述Octonacci序列光子多层为两种折射率不同的电介质薄片,所述石墨烯层位于局域电场最强的位置。
2.根据权利要求1所述的Octonacci序列的迭代规则为:当N=1时,S1=A;当N=2时,S2=B;当N≥3时,SN=SN-1SN-2SN-1,其中下标N为序列的序数,SN为序列的第N项,在满足Octonacci序列的光子多层中,符号A、B表示两种折射率不同的均匀电介质。
3.根据权利要求1所述的Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构,其特征在于,所述石墨烯层的单层厚度为0.30nm-0.35nm。
4.根据权利要求3所述的Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构,其特征在于,当N=5时,Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构可以表示为其中的厚度为B的厚度的一半,G表示石墨烯。
5.根据权利要求4所述的Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构,其特征在于,电介质A为二氧化硅,折射率为na=3.53,厚度为1/4光学波长,即da=λ0/4na=0.1098μm,其中λ0=1.55μm为中心波长;B为硅,折射率为nb=1.46,厚度为db=λ0/4nb=0.2654μm。
6.根据权利要求5所述的Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构,其特征在于,在归一化频率为[-1,1]区间内,存在四个透射率的共振峰,对应着四个共振光学分形态,它们彼此独立,且相隔适当距离,这四个透射率峰值从左到右依次为称为第一,第二,第三和第四共振峰,入射波长相对于第一个共振态波长适当地红失谐。
7.根据权利要求6所述的Octonacci序列光子多层与石墨烯的复合结构,其特征在于,光学双稳态的阈值和阈值间宽可以通过石墨烯的化学和入射波长调节。
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