[发明专利]发光晶体管

权利要求书

1.一种发光晶体管，其特征在于，所述发光晶体管包括：

半导体材料组成的发光层，设于所述发光层一侧的栅极，设于所述发光层另一侧的源极和漏极；所述栅极与所述发光层之间设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的材料包括有机绝缘材料和掺杂在所述有机绝缘材料中的有机荧光染料，所述有机荧光染料与所述发光层的半导体材料能发生荧光共振能量转移，基于荧光共振能量转移将所述发光层的半导体材料形成的激子能量转移至有机荧光染料掺杂的所述栅极绝缘层发光；

所述有机荧光染料选自高分子聚合物或小分子材料，所述高分子聚合物选自聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]和聚[{2,5-二(3′,7′-二甲基辛氧基)-1,4-苯乙炔}-co-{3-(4′-(3”,7”-二甲基辛氧基)苯基)-1,4-苯乙炔}-co-{3-(3′-(3”,7”-二甲基辛氧基)苯基)-1,4-苯乙炔}]中的至少一种，所述小分子材料选自1,2:8,9-二苯并五苯和罗丹明6G中的至少一种；

所述栅极绝缘层包括层叠的有机绝缘层和无机绝缘层，所述有机绝缘材料和所述有机荧光染料组成所述有机绝缘层，所述无机绝缘层位于所述栅极与所述有机绝缘层之间。

2.如权利要求1所述的发光晶体管，其特征在于，所述有机绝缘材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯和聚酰亚胺中的至少一种。

3.如权利要求1所述的发光晶体管，其特征在于，所述有机荧光染料的掺杂浓度为0.001%-30%。

4.如权利要求1所述的发光晶体管，其特征在于，所述半导体材料选自有机半导体材料或无机半导体材料。

5.如权利要求4所述的发光晶体管，其特征在于，所述有机半导体材料选自2,6-二苯基蒽、并五苯、红荧烯、石墨烯和碳纳米管中的至少一种；和/或，

所述无机半导体材料选自二硫化钨和硒化钨中的至少一种。

6.如权利要求1-5任一项所述的发光晶体管，其特征在于，所述源极和漏极沿背离所述发光层表面的方向设有掺杂所述有机荧光染料的源漏极绝缘层。

7.如权利要求1-5任一项所述的发光晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层与所述发光层之间设有电子传输层，所述发光层与所述源极和漏极之间设有空穴传输层。

8.如权利要求1-5任一项所述的发光晶体管，其特征在于，所述栅极形成于基板上，所述栅极绝缘层形成于所述基板上并覆盖所述栅极，所述发光层形成于所述栅极绝缘层上，所述源极和漏极形成于所述发光层上；或者，

所述源极和漏极形成于基板上，所述发光层形成于所述基板上并覆盖所述源极和漏极，所述栅极绝缘层形成于所述发光层上，所述栅极形成于所述栅极绝缘层上。