[发明专利]吡啶并三氮唑类新型受体及其发光聚合物的合成与应用在审

专利信息
申请号: 202110986669.2 申请日: 2021-08-26
公开(公告)号: CN113501939A 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 刘云圻;陈金佯;匡俊华;郭云龙;杨杰 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H01L51/30;H01L51/54;C09K11/06
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 吴爱琴
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 吡啶 三氮唑类 新型 受体 及其 发光 聚合物 合成 应用
【权利要求书】:

1.式I所示聚合物:

式I中,R为碳原子总数为1~60的直链或支链烷基,n为5~100之间的自然数;

Donor选自如下A类基团中的任意一种:

所述A类基团中,表示取代的位置。

2.根据权利要求1所述的式I所示聚合物,其特征在于:所述聚合物为PPT-TT-PT-2FBT或PPT-TT-PT-TT;

所述聚合物PPT-TT-PT-2FBT如式I-1所示,其中,n=20:

其中R的定义与权利要求1中式I中R的定义相同;

所述聚合物PPT-TT-PT-TT如式I-2所示,其中,n=16:

其中R的定义与权利要求1式I中R的定义相同。

3.式1所示化合物:

式1中,R的定义同权利要求1式I中R的定义。

4.制备式1所示化合物的方法,包括如下方法:

(1)在醋酸的水溶液中,式2所示2,5-二溴-3,4-二氨基吡啶与亚硝酸钠进行反应得到式3所示4,7-二溴-2H-[1,2,3]三氮唑并[4,5-c]吡啶;

(2)在碳酸钾存在的条件下,式3所示4,7-二溴-2H-[1,2,3]三氮唑并[4,5-c]吡啶与R-I所示碘代烷反应得到式4所示4,7-二溴-2-烷基-2H-[1,2,3]三氮唑并[4,5-c]吡啶;R-I中R的定义同式I;

式4中,R的定义同式I;

(3)在催化剂存在下,式4所示4,7-二溴-2-烷基-2H-[1,2,3]三氮唑并[4,5-c]吡啶与2,5-双(三甲基锡)噻吩并[3,2-b]噻吩发生偶联反应,得到式1所示化合物;

5.制备权利要求1或2所述的聚合物的方法,包括如下步骤:

在催化剂和配体存在的条件下,式1所示化合物与Me3Sn-Donor-SnMe3双甲基锡试剂经聚合反应,即得权利要求1或2所述的聚合物。

R的定义与权利要求1式I中R的定义相同。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:Me3Sn-Donor-SnMe3双甲基锡试剂选自如下化合物中的任意一种:

所述催化剂为四(三苯基膦)钯、二(三苯基膦)二氯化钯和三(二亚苄基丙酮)二钯中至少一种;

所述配体为三苯基膦、三(邻甲苯基)膦和三苯基砷中至少一种;

式1所示化合物与所述双甲基锡试剂的摩尔比为1:0.95~1.05;

式1所示化合物与所述催化剂的摩尔比为1:0.01~0.10;

式1所示化合物与所述配体的摩尔比为1:0.08~0.80;

所述聚合反应的温度为90~140℃,时间为2小时~80小时;

所述聚合反应在如下溶剂中进行:甲苯、氯苯和二甲苯中至少一种。

7.权利要求1或2所述的聚合物作为半导体材料层在制备有机场效应晶体管中的应用。

8.一种有机场效应晶体管,其半导体材料层由权利要求1或2所述的聚合物制成。

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