[发明专利]用于编程自选存储器的技术有效
申请号: | 202110987232.0 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN114121103B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | U·迪温琴佐 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/34 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 编程 自选 存储器 技术 | ||
本申请针对用于编程自选存储器的技术。接收到的数据可包含各自具有第一逻辑值的第一位群组和各自具有第二逻辑值的第二位群组。所述第一和第二位群组可分别存储在第一组存储器单元和第二组存储器单元中。可执行用于将所述第二逻辑值写入到所述第一组和第二组存储器单元并验证所述第二逻辑值是否写入到所述第一组存储器单元、所述第二组存储器单元或这两者中的每一个的第一编程操作。第二编程操作可基于验证结果将所述第一逻辑值写入到所述第一组存储器单元或所述第二组存储器单元。
本专利申请要求迪文森佐(Di Vincenzo)于2020年8月28日提交的标题为“用于编程自选存储器的技术(TECHNIQUES FOR PROGRAMMING SELF-SELECTING MEMORY)”的第17/006,197号美国专利申请的优先权,所述申请转让给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
技术领域涉及用于编程自选存储器的技术。
背景技术
存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。例如,二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一种,常常由逻辑1或逻辑0来表示。在一些实例中,单个存储器单元可支持多于两个状态,所述状态中的任一个可被存储。为了存取所存储的信息,组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息,组件可写入或编程存储器装置中的状态。
存在各种类型的存储器装置和存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可为易失性或非易失性的。
发明内容
公开一种方法,其包含:接收包括第一组位和第二组位的数据,其中所述第一组位中的每一位具有第一逻辑值且对应于第一组存储器单元中的第一存储器单元,所述第二组位中的每一位具有第二逻辑值且对应于第二组存储器单元中的第二存储器单元;执行第一编程操作以将所述第二逻辑值写入到所述第一组存储器单元和所述第二组存储器单元中的每一存储器单元;确定在执行所述第一编程操作之后所述第二组存储器单元中的一或多个是否存储所述第一逻辑值;以及至少部分地基于所述确定,执行第二编程操作以将所述第一逻辑值写入到所述第一组存储器单元中的每一存储器单元或所述第二组存储器单元中的每一存储器单元。
公开一种设备,其包含:存储器阵列,其包括第一组存储器单元和第二组存储器单元;控制器,其与所述存储器阵列耦合且配置成接收包括第一组位和第二组位的数据,其中所述第一组位中的每一位具有第一逻辑值且对应于所述第一组存储器单元中的第一存储器单元,所述第二组位中的每一位具有第二逻辑值且对应于所述第二组存储器单元中的第二存储器单元;执行第一编程操作以将所述第二逻辑值写入到所述第一组存储器单元和所述第二组存储器单元中的每一存储器单元;确定在执行所述第一编程操作之后所述第二组存储器单元中的一或多个是否存储所述第一逻辑值;以及至少部分地基于所述确定,执行第二编程操作以将所述第一逻辑值写入到所述第一组存储器单元中的每一存储器单元或所述第二组存储器单元中的每一存储器单元。
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