[发明专利]一种SiC器件的欧姆接触制备方法在审
| 申请号： | 202110987755.5 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113808923A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陈平原;张腾 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹芸 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 器件 欧姆 接触 制备 方法 | ||
1.一种SiC器件的欧姆接触制备方法，其特征在于，包括以下的步骤：
S1：利用湿法工艺对SiC衬底进行表面处理，然后清洗、甩干；
S2：利用离子注入工艺对SiC欧姆接触区表面进行Si成分的离子注入；
S3：利用蒸发或溅射工艺在经过离子注入的SiC表面上沉积一定厚度的欧姆金属；
S4：进行高温快速热退火工艺或激光退火进行欧姆退火。
2.根据权利要求1所述的一种SiC器件的欧姆接触制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，SiC衬底的掺杂类型为N型，掺杂浓度为1×1017cm-3～1×1022cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种SiC器件的欧姆接触制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，Si离子注入能量为20keV～150keV，注入剂量为1×1015cm-3～4×1015cm-3。
4.根据权利要求1所述的一种SiC器件的欧姆接触制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，欧姆金属为易于SiC在高温下形成合金的金属。
5.根据权利要求4所述的一种SiC器件的欧姆接触制备方法，其特征在于：所述欧姆金属为Ni或Ti，厚度为5nm～500nm。
6.根据权利要求1所述的一种SiC器件的欧姆接触制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，高温快速热退火工艺的退火温度800℃～1100℃，退火时间根据不同的退火温度设定，时长为60秒～3小时。
7.根据权利要求1所述的一种SiC器件的欧姆接触制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，激光退火工艺的能量密度为2J/cm2～8J/cm2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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