[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 202110987817.2 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113782546B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 吴晓晓;林春荣;刘冰萍 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 李晓霞 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:衬底和位于所述衬底之上的多个绑定端子;其中,
所述绑定端子包括透明导电部和第一金属部,所述第一金属部位于所述衬底和所述透明导电部之间;
所述透明导电部和所述第一金属部之间的绝缘层采用无机材料制作,所述透明导电部和所述第一金属部通过贯穿所述绝缘层的第一过孔相连接;
所述显示面板包括栅极金属层和源漏金属层;所述源漏金属层位于所述栅极金属层远离所述衬底的一侧,在所述栅极金属层和所述源漏金属层之间设置有第一子绝缘层;
所述显示面板包括位于所述衬底之上的多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极位于所述栅极金属层,所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述源漏金属层;所述第一金属部位于所述栅极金属层,所述绝缘层包括所述第一子绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述绝缘层包括N层子绝缘层,N为不小于1的整数。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括平坦化层,所述平坦化层位于所述薄膜晶体管的远离所述衬底的一侧;
所述平坦化层具有第一挖孔;在垂直于所述衬底方向上,所述第一挖孔贯穿所述平坦化层;其中,
所述透明导电部在所述衬底的正投影位于所述第一挖孔在所述衬底的正投影内。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板包括显示区和非显示区,所述绑定端子位于所述非显示区;
所述非显示区还包括连接线,所述连接线位于所述源漏金属层;所述连接线与所述第一金属部通过所述第一子绝缘层的过孔相连接;且,所述平坦化层在所述衬底的正投影覆盖所述连接线在所述衬底的正投影。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括位于所述源漏金属层远离所述衬底一侧的第一透明导电层和第二透明导电层;
所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间设置有第二子绝缘层;
所述第二子绝缘层具有第二挖孔;在垂直于所述衬底方向上,所述第二挖孔贯穿所述第二子绝缘层;其中,
所述第二挖孔和所述第一挖孔在同一工艺制程中制作。
6.一种显示面板,其特征在于, 所述显示面板包括:衬底和位于所述衬底之上的多个绑定端子;其中,
所述绑定端子包括透明导电部和第一金属部,所述第一金属部位于所述衬底和所述透明导电部之间;
所述透明导电部和所述第一金属部之间的绝缘层采用无机材料制作,所述透明导电部和所述第一金属部通过贯穿所述绝缘层的第一过孔相连接;
所述显示面板包括栅极金属层、源漏金属层、第一透明导电层和第二透明导电层;所述源漏金属层位于所述栅极金属层的远离所述衬底的一侧,所述第一透明导电层位于所述源漏金属层的远离所述栅极金属层的一侧,所述第二透明导电层位于所述第一透明导电层的远离所述源漏金属层的一侧;
所述显示面板包括位于所述衬底之上的多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极位于所述栅极金属层,所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述源漏金属层;其中,所述第一金属部位于所述源漏金属层;
在所述源漏金属层和所述第一透明导电层之间设置有至少一层第三子绝缘层,所述绝缘层包括所述第三子绝缘层;
所述绑定端子还包括第二金属部,所述第二金属部位于所述栅极金属层;所述栅极金属层和所述源漏金属层之间设置有第一子绝缘层;所述第一金属部和所述第二金属部通过所述第一子绝缘层的过孔相连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间设置有第二子绝缘层,所述绝缘层包括所述第二子绝缘层。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
对于一个所述绑定端子,所述透明导电部和所述第一金属部通过至少两个所述第一过孔相连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的