[发明专利]一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置在审
申请号: | 202110988095.2 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113758641A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 赵华利;崔景光;闫兰;高彦静;赵焕君;李永超;吕敬文 | 申请(专利权)人: | 河北同光晶体有限公司;河北同光科技发展有限公司 |
主分类号: | G01M3/04 | 分类号: | G01M3/04;G01N21/95;G01N21/01 |
代理公司: | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人: | 许莉 |
地址: | 071051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 贯穿 管道 缺陷 检测 方法 装置 | ||
1.一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
通过采用真空装置,使被测晶圆两侧产生压力差;
在此条件下,在晶圆的一侧喷涂酒精液体;
通过观察晶圆的另一侧是否存在漏液情况,以判断晶圆是否存在贯穿型管道缺陷。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
将晶圆表面擦拭干净;
将晶圆放置在卡盘上;
打开压力阀门后,通过观察压力表并将真空度调整至1.5-2.5bar;
在晶圆表面均匀滴上酒精;
在光源辅助条件下,观察是否有液体透过晶片,以判断是否存在管道缺陷。
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法,其特征在于,打开压力阀门后,通过观察压力表并将真空度调整至2bar。
4.根据权利要求2或3所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法,其特征在于,光源与晶圆呈40-50°。
5.根据权利要求4所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法,其特征在于,光源与晶圆呈45°。
6.根据权利要求2所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法,其特征在于,光源采用手电筒。
7.一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测装置,其特征在于,包括:晶圆卡盘,以及与所述晶圆卡盘通过真空管路连通的外接真空系统,且所述真空管路上设置有分别用于控制和监视真空情况的压力阀门和负压力表;
所述晶圆卡盘的表面具有四道同轴的圆环凸起,且所述圆环凸起用于支撑晶圆;最外圈的所述圆环凸起为封闭形式,以维持内部真空度;其余内三圈的所述圆环凸起,每间隔120°具有一个用于气体流通的缺口;
所述晶圆卡盘的中心具有一个圆孔,且所述圆孔与所述真空管路相通,用于气体与外部的流通。
8.根据权利要求7所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测装置,其特征在于,所述晶圆卡盘采用树脂材料制成。
9.根据权利要求7所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测装置,其特征在于,所述圆环凸起的高度为4-6mm;所述圆环凸起的所述缺口的口径为3-5mm;所述晶圆卡盘的所述圆孔的孔径为3-5mm。
10.根据权利要求9所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测装置,其特征在于,所述圆环凸起的高度为5mm;所述圆环凸起的所述缺口的口径为4mm;所述晶圆卡盘的所述圆孔的孔径为4mm。
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