[发明专利]一种柔性光电子器件的制备方法

权利要求书

1.一种柔性光电子器件的制备方法，其特征在于，采用氧化锗作为牺牲层，通过在氧化锗层上沉积、图案化多种功能材料层，采用水作为腐蚀液剥离衬底，得到柔性光电子器件。

2.根据权利要求1所述的柔性光电子器件的制备方法，其特征在于，该方法具体包括如下步骤：

(1)在硬质衬底上沉积一层氧化锗层；

(2)在氧化锗层上生长功能材料，形成功能材料层；当所述功能材料层不带有图案时，执行步骤(3)；当所述功能材料层本身带有图案时，直接执行步骤(5)；

(3)对所述功能材料层表面进行图案化；

(4)通过图形转移工艺将图形转移到所述功能材料层，得到带有图案的功能材料层；

(5)在所述功能材料层表面沉积黏附层，在所述黏附层的表面沉积支撑层；

(6)将所述步骤(5)得到的样品浸泡在水中，所述氧化锗在水中溶解，从而使硬质衬底剥离，得到柔性光电子器件。

3.根据权利要求1所述的柔性光电子器件的制备方法，其特征在于，所述氧化锗层的厚度为100-1000nm。

4.根据权利要求2所述的柔性光电子器件的制备方法，其特征在于，当需要制备芯层为3D多层堆叠结构的器件时，在步骤(2)直接得到或者经过步骤(3)、(4)得到带有图案的功能材料层后，先在功能材料层表面沉积一层隔离层；然后再在隔离层表面重复步骤(2)或(2)～(4)，得到第二层带有图案的功能材料层，以此类推，从而得到多层带有图案的功能材料层，且相邻的功能材料层之间通过隔离层隔开；最后执行步骤(5)和(6)。

5.根据权利要求4所述的柔性光电子器件的制备方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为50nm-3um。

6.根据权利要求2所述的柔性光电子器件的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)中在水中浸泡的温度为40-80℃之间。

7.根据权利要求2所述的柔性光电子器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤(6)后，将所述支撑层贴附在硬质衬底上，进行另一面的黏附层和支撑层的依次沉积。

8.根据权利要求2所述的柔性光电子器件的制备方法，其特征在于，所述黏附层为聚二甲基硅氧烷，所述支撑层为环氧树脂膜或聚酰亚胺膜。

9.根据权利要求2所述的柔性光电子器件的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，通过磁控溅射法生长氧化钛作为功能材料层，或者通过等离子体增强化学的气相沉积法生长硅基材料作为功能材料层，或者通过热蒸发沉积法生长硫系玻璃或金属材料作为功能材料层，或者通过喷墨打印法或3D打印法生长氧化物作为功能材料层。

10.一种由上述任意一项权利要求的制备方法得到的柔性光电子器件。