[发明专利]太赫兹波角度偏转控制器及其方法有效
申请号: | 202110988273.1 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113764896B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 李九生 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;H01Q3/01;H01Q3/26 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 傅朝栋;张法高 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 赫兹 角度 偏转 控制器 及其 方法 | ||
1.一种太赫兹波角度偏转控制器,其特征在于,包括方形状半镂空角度偏转器(3);所述方形状半镂空角度偏转器(3)由24×24个单元结构(4)组成,24×24个单元结构(4)以连续拼接形式周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上;
每个所述的单元结构(4)包括顶层硅介质结构(5)和底层金属板(6),单元结构(4)的顶面作为信号输入端(1);其中,所述的顶层硅介质结构(5)设置于底层金属板(6)上,呈长方体形状;顶层硅介质结构(5)在顶面中心位置处从上往下开设有上层长方体镂空(7)和下层长方体镂空(8);且所述单元结构(4)根据上层长方体镂空(7)和下层长方体镂空(8)的长度和宽度尺寸不同,构造有相位差为90°的四种单元结构,分别为第一单元结构(9)、第二单元结构(10)、第三单元结构(11)和第四单元结构(12);
24×24个单元结构(4)在平面上由一系列N×N编码序列组成,每一个N×N编码序列由N×N个第一单元结构(9)、N×N个第二单元结构(10)、N×N个第三单元结构(11)、N×N个第四单元结构(12)按顺序依次横向排列组成,其中N为2或3。
2.如权利要求1所述的一种太赫兹波角度偏转控制器,其特征在于,每个单元结构(4)的正视图均为正方形,正方形边长为90~110μm,衬底金属板(6)的长度和宽度均为90~110μm,厚度为0.8~1.2μm,顶层硅介质层(5)的长度和宽度均为90~110μm,厚度为65~75μm。
3.如权利要求1所述的一种太赫兹波角度偏转控制器,其特征在于,所述衬底金属板(6)的材料为铝。
4.如权利要求1所述的一种太赫兹波角度偏转控制器,其特征在于,每个单元结构(4)中,顶层硅介质层(5)以及其中开设的上层长方体镂空(7)和下层长方体镂空(8)的横截面均为正方形。
5.如权利要求1所述的一种太赫兹波角度偏转控制器,其特征在于,所述的第一单元结构(9)中,上层长方体镂空(7)和下层长方体镂空(8)的长度和宽度均为89~91μm;第二单元结构(10)中,上层长方体镂空(7)的长度和宽度均为69~71μm,下层长方体镂空(8)的长度和宽度均为72~74μm;第三单元结构(11)中,上层长方体镂空(7)的长度和宽度均为39~41μm,下层长方体镂空(8)的长度和宽度均为55~57μm;第四单元结构(12)中,上层长方体镂空(7)的长度和宽度均为29~31μm,下层长方体镂空(8)的长度和宽度均为36~38μm;四种单元结构的上层长方体镂空(7)和下层长方体镂空(8)的厚度均为28~32μm。
6.如权利要求1所述的一种太赫兹波角度偏转控制器,其特征在于,24×24个单元结构(4)在平面上由36个2×2编码序列(13)按照12×3阵列形式连续排布。
7.如权利要求1所述的一种太赫兹波角度偏转控制器,其特征在于,24×24个单元结构(4)在平面上由16个3×3编码序列(14)按照8×2阵列形式连续排布。
8.一种使用如权利要求1~7任一所述太赫兹波角度偏转控制器进行波束角度偏转的控制方法,其特征在于,基于位差为90°的四种单元结构,将其按照预先设定的编码序列周期在平面上组成编码序列,并形成周期排列的24×24个单元结构(4);当太赫兹波从太赫兹波输入端(1)输入时,频率为1THz的太赫兹波被方形状半镂空角度偏转器(3)中的24×24个单元结构(4)反射,根据预先设定的编码序列周期控制太赫兹波以不同的角度进行偏转,且编码序列周期越大,反射波束的偏转角度越小,而反射效率越大。
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