[发明专利]一种显示面板及显示装置在审
申请号: | 202110988464.8 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113809134A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 胡良;肖艾 | 申请(专利权)人: | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
依次设置在所述衬底基板一侧的辅助金属层、阳极层、像素定义层、发光层以及阴极层;所述像素定义层具有多个挡墙结构,多个所述挡墙结构限定出多个暴露所述阳极的开口,所述发光层至少位于所述开口中,所述阴极层至少包括位于多个所述开口中的阴极块;所述辅助金属层包括多个沿第一方向延伸的第一金属走线部;
所述显示面板还包括位于所述阴极块之间的多条阴极连接线,所述阴极连接线连通多个所述开口内所述阴极块,其中,沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,至少部分所述阴极连接线和与其相邻的所述第一金属走线部平行。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述像素定义层与所述衬底基板之间的驱动晶体管,所述辅助金属层位于所述驱动晶体管背离所述衬底基板一侧。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述辅助金属层还包括多个沿所述第一方向延伸的第二金属走线部;所述第一金属走线部与所述第二金属走线部不同层,且所述第一金属走线部在所述衬底基板上的正投影与所述第二金属走线部在所述衬底基板上的正投影具有交叠部分。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属走线部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二金属走线部在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属走线部为电源电压信号线,所述第二金属走线部为数据线。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,与所述阴极连接线具有交叠部分的所述第一金属走线部沿第二方向等间距排列,所述第二方向与所述第一方向垂直且平行于所述衬底基板所在平面。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光层所在区域形成多个发光区,沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,
所述第一金属走线部与所述发光区不交叠;和/或,所述第一金属走线部与所述阴极连接线不交叠。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助金属层还包括多个沿所述第一方向延伸的第二金属走线部;
所述发光层所在区域形成多个发光区,沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,位于同一所述发光区中的所述第一金属走线部与所述第二金属走线部沿第一中线对称,所述第一中线为所述发光区的第一中心对称轴,所述发光区的第一中心对称轴平行于所述第一方向。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极块包括相互连接的第一阴极与第二阴极,所述第一阴极平行于所述衬底基板所在平面,所述第二阴极位于所述第一阴极远离所述衬底基板一侧,且位于至少部分所述挡墙结构的侧壁上;所述阴极连接线位于所述挡墙结构远离所述衬底基板一侧的表面上,并通过所述第二阴极与所述第一阴极导通。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,沿所述阴极层指向所述衬底基板的方向,所述挡墙结构的宽度递增;
所述挡墙结构包括朝向所述开口的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和与其连接的所述像素定义层靠近所述衬底基板一侧表面之间的夹角为第一夹角θ1,所述第二侧壁和与其连接的所述像素定义层靠近所述衬底基板一侧表面之间的夹角为第二夹角θ2,其中,30°<θ2<θ1<90°;
所述第二阴极位于所述第一侧壁上。
11.如权利要求10所述的显示面板,其特征在于,沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第二阴极与所述第一金属走线部平行且交叠。
12.如权利要求10所述的显示面板,其特征在于,
所述第二阴极沿第三方向周期性排布,所述第三方向平行于所述衬底基板所在平面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的