[发明专利]一种基于石墨烯的太赫兹增强电磁诱导透明器件在审
申请号: | 202110989122.8 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113917709A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 王兰;张雅鑫;龚森;盛譞;杨自强 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学长三角研究院(湖州) |
主分类号: | G02F1/00 | 分类号: | G02F1/00;G02F1/01;H01Q15/08 |
代理公司: | 成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101 | 代理人: | 王蔚 |
地址: | 313001 浙江省湖州市吴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 赫兹 增强 电磁 诱导 透明 器件 | ||
1.一种基于石墨烯的太赫兹增强电磁诱导透明器件,包括半导体材料衬底、位于衬底上的多个由金属内环和金属外环构成的双环金属结构,以及形成于衬底上且介于金属内环与金属外环之间的石墨烯环,其特征在于:
所述金属内环不开口,金属外环沿直径方向开有两个相对于金属外环中心对称的开口,且金属外环的线宽为金属内环线宽的1/3,所述石墨烯环采用n层石墨烯(n1),通过外加飞秒激光控制石墨烯的电导率,实现器件的幅度变化。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的太赫兹增强电磁诱导透明器件,其特征在于:所述金属外环、石墨烯环、金属内环同心,且每个金属外环分别与相邻的金属外环相切。
3.根据权利要求1或2所述的基于石墨烯的太赫兹增强电磁诱导透明器件,其特征在于:所述双环金属结构共有M×N个,其中M代表每排双环金属结构的个数,N代表每列双环金属结构的个数,M和N至少等于4。
4.根据权利要求1所述的基于石墨烯的太赫兹增强电磁诱导透明器件,其特征在于:所述半导体材料衬底采用的半导体材料为碳化硅、蓝宝石、高阻硅或GaAs。
5.根据权利要求1所述的基于石墨烯的太赫兹增强电磁诱导透明器件,其特征在于:所述金属外环和金属内环采用Au、Ag、Cu、Al或其他电导率相近的金属材料制成。
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