[发明专利]气压传感器及制备方法

权利要求书

1.一种气压传感器，包括敏感结构，其特征在于，所述敏感结构包括

高阻衬底；

形成于高阻衬底上的源极电极、漏极电极和栅极电极，所述源极电极以及漏极电极限定于高阻衬底同一侧，所述栅极电极限定于高阻衬底上与源极电极同一侧或栅极电极限定于高阻衬底上相对于源极电极的另一侧；

设置到源极电极和漏极电极的石墨烯薄层结构；

所述高阻衬底与石墨烯薄层结构之间形成有腔室。

2.如权利要求1所述的气压传感器，其特征在于，所述高阻衬底表面形成有凹槽以及位于凹槽周围的平台。

3.如权利要求2所述的气压传感器，其特征在于，所述高阻衬底的平台上形成有源极电极和漏极电极，凹槽内形成有栅极。

4.如权利要求1或3所述的气压传感器，其特征在于，所述源极电极和/或漏极电极和/或栅极电极为至少一层导电结构。

5.如权利要求4所述的气压传感器，其特征在于，所述源极电极和/或漏极电极和/或栅极电极包括两层金属层，其中底层用于将上层结合到高阻衬底。

6.如权利要求5所述的气压传感器，其特征在于，所述底层为包含铬、钛中至少一种的金属层。

7.如权利要求5所述的气压传感器，其特征在于，所述上层为包含金的金属层。

8.如权利要求1所述的气压传感器，其特征在于，所述高阻衬底为氧化硅衬底。

9.如权利要求1所述的气压传感器，其特征在于，所述栅极电极限定于高阻衬底上相对于源极电极的另一侧时，其为半导体结构。

10.如权利要求1-9任一所述的气压传感器的制备方法，其特征在于，包括对形成于基体上的高阻衬底依据设计进行光刻；在光刻后的高阻衬底上形成源极电极、漏极电极、栅极电极；向源极电极、漏极电极转移形成悬浮形态的石墨烯薄层结构。