[发明专利]ADC抗干扰性能提升系统及方法在审
| 申请号： | 202110989386.3 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113691257A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 袁少华;杨磊;蔡占成 | 申请（专利权）人： | 上海芯圣电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/06 | 分类号： | H03M1/06 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 杨俊华 |
| 地址： | 200000 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | adc 抗干扰 性能 提升 系统 方法 | ||
1.一种ADC抗干扰性能提升系统，其特征在于，包括：ADC接地端、ADC模块和N阱，
所述ADC接地端，用于为所述ADC模块提供独立接地端；
所述N阱，用于将所述ADC接地端和所述ADC模块进行物理隔离。
2.根据权利要求1所述的提升系统，其特征在于，所述ADC接地端、所述ADC模块和所述N阱处于MCU内部，所述MCU还包括IO模块和RC模块。
3.根据权利要求1所述的提升系统，其特征在于，还包括：IO模块和RC模块。
4.根据权利要求2所述的提升系统，其特征在于，还包括：
将所述ADC接地端单独封装到所述MCU外部接地端。
5.根据权利要求2或3任一所述的提升系统，其特征在于，
所述N阱将所述ADC接地端分别与所述IO模块和所述RC模块进行物理隔离；
所述N阱将所述ADC模块分别与所述IO模块和所述RC模块进行物理隔离。
6.根据权利要求5所述的提升系统，其特征在于，所述ADC接地端连接所述ADC模块的接地端。
7.根据权利要求5所述的提升系统，其特征在于，
所述IO模块和所述RC模块连接第一接地端，所述ADC接地端与所述第一接地端处于两个网络层。
8.根据权利要求6所述的提升系统，其特征在于，所述ADC接地端与所述ADC模块的接地端之间包括寄生电阻，所述ADC模块的接地端与所述ADC接地端之间存在电压差。
9.根据权利要求1所述的提升系统，其特征在于，所述N阱处于晶圆P衬底上。
10.一种ADC抗干扰性能提升方法，其特征在于，包括：
为ADC模块提供独立接地端；
将ADC接地端和所述ADC模块进行物理隔离。
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