[发明专利]存储器写入访问控制

说明书

本申请案是针对存储器写入访问控制。在一些实例中，存储器系统可包含受访问保护(例如，受写入访问保护)的存储空间。为了启用对所述受保护存储空间的访问，服务器节点可将用所述存储器系统不可访问的私钥签名的命令传达给所述存储器系统。所述存储器系统可使用公钥验证所述命令且可启用对所述受保护存储空间的访问。可处理与所述受保护存储空间相关联的访问命令，直到停用对所述受保护存储空间的访问为止。

交叉参考

本申请案要求2020年8月26日由刘(Liu)申请的名称为“存储器写入访问控制(MEMORY WRITE ACCESS CONTROL)”的第17/003,103号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

技术领域涉及存储器写入访问控制。

背景技术

下文大体上涉及一或多个存储器系统，且更具体地说，涉及存储器写入访问控制。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可编程到两个所支持状态中的一者，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能的状态，所述状态中的任一者可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)和与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器单元(例如，DRAM单元)除非由外部电源周期性地刷新，否则可能随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

发明内容

描述了一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。在一些实例中，存储代码的非暂时性计算机可读媒体可包含指令，所述指令在由存储器装置的处理器执行时使所述存储器装置进行以下操作：接收启用对所述存储器装置的一部分的写入访问的命令，其中使用与服务器相关联的私钥对所述命令进行签名；至少部分地基于使用公钥认证所述命令而启用对所述存储器装置的所述部分的写入访问；接收对所述存储器装置的所述部分的地址的写入命令；和至少部分地基于启用对所述存储器装置的所述部分的写入访问而处理所述写入命令。

描述了一种系统。在一些实例中，所述系统可包含经配置以被分配用于写入访问的存储器装置，其中所述存储器装置经配置以从计算节点接收启用对存储部分的写入访问的命令，至少部分地基于使用公钥认证所述命令而启用对所述存储部分的写入访问，接收对所述存储部分的地址的写入命令，和至少部分地基于启用对所述存储部分的写入访问而处理所述写入命令。

描述了一种存储代码的非暂时性计算机可读媒体。在一些实例中，存储代码的非暂时性计算机可读媒体可包含指令，所述指令在由存储器装置的处理器执行时使所述存储器装置进行以下操作：接收对所述存储器装置的一部分的地址的写入命令，所述写入命令使用密钥对进行写入保护，所述密钥对包含公钥和与所述存储器装置外部的服务器相关联的私钥；至少部分地基于接收到所述写入命令而确定所述存储器装置的所述部分受写入保护；和至少部分地基于确定所述存储器装置的所述部分受写入保护而避免处理所述写入命令。

附图说明

图1说明根据如本文中所公开的实例的支持存储器写入访问控制的系统的实例。