[发明专利]接近度传感器装置和系统

权利要求书

1.一种接近度传感器装置，包括单个单片集成半导体衬底，所述接近度传感器装置包括：

有源表面，所述有源表面包括从由以下各项组成的组中选择的至少一个组件：有源组件、无源组件、以及焊盘；

互连堆叠，所述互连堆叠在所述有源表面顶部，所述互连堆叠包括由隔离层分开的至少两个金属层中的多个金属层(M1、M2、M3、M4)；

彼此电绝缘的至少第一发射器线圈(Tx1)和第一接收器线圈(Rx1)；

所述第一发射器线圈(Tx1)具有含至少三匝的第一螺旋线、形成在具有从所述多个金属层中选择的至少一个金属层(M2，M3，M4；M2，M3，M4)的第一子集(S1)中，并且其中，所述第一螺旋线在所述有源衬底上的正交投影具有第一内周(Pi1)和第一外周(Po1)；

所述第一接收器线圈(Rx1)具有含至少三匝的第二螺旋线、形成在具有从所述多个金属层中选择的至少一个金属层(M3，M4；M2，M3，M4)的第二子集(S2)中，并且其中，所述第二螺旋线在所述有源衬底上的正交投影具有第二内周(Pi2)和第二外周(Po2)；

其中，所述至少一个组件或所述焊盘位于所述第一内周(Pi1)内并在所述第二内周(Pi2)内，或者位于所述第一内周(Pi1)内但在所述第二外周(Po2)外。

2.如权利要求1所述的接近度传感器装置，

其中，所述第一发射器线圈(TX1)形成在仅一个金属层中，并且所述第一接收器线圈(RX1)形成在与所述发射器线圈形成在其中的金属层相同的仅一个金属层中；

或者其中，所述第一发射器线圈(TX1)形成在仅一个金属层中，并且所述第一接收器线圈(RX1)形成在与所述发射器线圈形成在其中的金属层不同的仅一个金属层中；

或者其中，所述第一发射器线圈(Tx1)形成在所述互连堆叠的第一子集(S1)中，所述第一子集包含至少两个金属层；并且其中，所述第一子集(S1)和所述第二子集(S2)具有至少一个共同的金属层(M3)；

或者其中，所述第一发射器线圈(Tx1)形成在所述互连堆叠的第一子集(S1)中，所述第一子集包含至少两个金属层；并且其中，所述第一接收器线圈(Rx1)形成在所述互连堆叠的第二子集(S2)中，所述第二子集包含至少两个金属层；并且其中，所述第一子集(S1)和所述第二子集(S2)具有至少一个或至少两个共同的金属层。

3.如权利要求1所述的接近度传感器装置，进一步包括：

发射器电路，所述发射器电路被包括在所述有源表面中，并且连接到所述第一发射器线圈(Tx1)，并且被配置用于发射交变信号；

接收器电路，所述接收器电路被包括在所述有源表面中，并且连接到所述第一接收器线圈(Rx1)，并且被配置用于接收所述交变信号；

评估电路，所述评估电路被包括在所述接收器电路中或者连接到所述接收器电路，并被配置用于基于所接收的交变信号来确定导电目标或磁性目标的状况。

4.如权利要求3所述的接近度传感器装置，

其中，所述评估电路进一步被配置用于确定所述目标是处于第一预定义位置还是第二预定义位置，以及用于输出相应的信号或值，或者用于断开或闭合所述接近度传感器装置的两个端子之间的内部开关。

5.如权利要求1所述的接近度传感器装置，

其中，所述至少一个接收器线圈(Rx1)的所述外周(Pi2)的正交投影完全位于所述第一发射器线圈(Tx1)的所述内周(Pi1)的正交投影内。

6.如权利要求1所述的接近度传感器装置，

进一步包括至少一个金属屏蔽(1600)，所述至少一个金属屏蔽(1600)采用在所述互连堆叠的至少两层中彼此上下定位的至少两个迹线中的多个迹线的形式，所述迹线通过多个通孔互连；

所述金属屏蔽位于所述发射器线圈(Tx1)的所述内周与所述接收器线圈(Rx1)的所述外周之间。