[发明专利]一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 202110992690.3 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN113707764A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 林锦山;廖培灿;黄天福 | 申请(专利权)人: | 福建金石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10;C30B33/00;C23C16/24;C23C16/04 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 362200 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 金字塔 太阳能电池 制造 方法 | ||
本发明涉及一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法,它包括如下步骤,步骤A,对半导体基板进行倒金字塔制绒;步骤B,对经步骤A处理的半导体基板进行表面钝化。本发明的目的在于提供一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法,其有别于传统倒金字塔绒面制备方法,提高了制绒效果。
技术领域
本发明涉及一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法。
背景技术
在异质结太阳能电池制作的过程中,制绒清洗是必不可少的关键步骤之一,制绒可以使电池片表面形成金字塔绒面,达到减少入射光的反射,提升短路电流的目的。
一般的单晶或铸锭单晶硅片制绒都是在添加剂辅助下,用碱性溶液进行各向异性反应以形成正向金字塔绒面。但正向金字塔绒面在光照非直射或环境光多为散射光时,对光线的吸收率不佳,而且突出的金字塔尖端在后续工艺中容易受到磨损而破坏,导致钝化失效,PN结受损,影响电池片的良率和效率。
由此,倒金字塔绒面相对于正向金字塔绒面,弱光吸收能力更佳,内陷的绒面也较不易受到后续工艺的破坏。目前大多数倒金字塔绒面的制备都是采用金属离子辅助制绒形成孔洞后再以碱性溶液进行各向异性反应而形成的。但上述方法对后续硅片的清洗要求较高,容易出现重金属的污染,影响硅片的表面钝化;再者,药液中的重金属离子,如银离子、铜离子对环境污染存在隐患,后期对于废液的处理成本较高,不利于大规模的生产;第三,倒金字塔绒面的大小和均匀性对后续电池制作起关键作用,采用金属离子辅助制绒往往无法均匀地控制绒面的大小。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法,其有别于传统倒金字塔绒面制备方法,提高了制绒效果。
本发明的目的通过如下技术方案实现:
一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法,它包括如下步骤,
步骤A,对半导体基板进行倒金字塔制绒;
步骤B,对经步骤A处理的半导体基板进行表面钝化。
较之现有技术而言,本发明的优点在于:
(1)利用第一遮掩结构的网孔大小,可以均匀地控制倒金字塔的尺寸,有利于实验设计和生产要求;
(2)采用激光蚀刻或等离子蚀刻等干式方法,避免了制程过程中重金属的污染,有利于后续的钝化和效率提升;
(3)利用第二遮掩结构进行第一次钝化,先均匀覆盖倒金字塔凹槽面,再去除第二遮掩结构进行第二次钝化,有利于钝化膜层的整体覆盖在半导体基板的表面,有利于钝化质量的提升。
附图说明
图1是本发明所述第一遮掩结构或第二遮掩结构一种实施例的结构简图。
图2是本发明第一遮掩结构进行激光蚀刻一种实施例的分布示意图,图中所示由上至下依次为激光、掩膜板和硅片。
图3是本发明一种实施例的工艺流程简图。
具体实施方式
一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法,它包括如下步骤,
步骤A,对半导体基板进行倒金字塔制绒;
步骤B,对经步骤A处理的半导体基板进行表面钝化。
所述步骤B的具体方法为在半导体基板表面放置带有网孔的第二遮掩结构后进行第一次钝化膜沉积,然后移除第二遮掩结构进行第二次钝化膜沉积。所述第一次钝化膜沉积,可以先覆盖倒金字塔绒面的凹槽表面,避免全表面膜层钝化时,倒金字塔绒面的凹槽表面无法均匀覆盖。
在进行步骤B处理之前,对半导体基板进行酸洗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的