[发明专利]用于光电器件的组合物、以及包括其的光电器件、图像传感器和电子设备

权利要求书

1.用于光电器件的组合物，所述组合物包括：

由化学式1表示的p型半导体化合物和n型半导体化合物：

[化学式1]

其中，在化学式1中，

Ar¹和Ar²各自独立地为取代或未取代的C6-C30芳烃基团、取代或未取代的C3-C30杂芳烃基团、或其稠环，

X¹为-S-、-Se-、-Te-、-S(＝O)-、-S(＝O)₂-、-NR^a1-、-BR^a2-、-SiR^bR^c-、-SiR^bbR^cc-、-GeR^dR^e-、-GeR^ddR^ee-、-CR^fR^g-、或-CR^ffR^gg-，其中R^a1、R^a2、R^b、R^c、R^d、R^e、R^f、和R^g各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、或者取代或未取代的C3-C20杂芳基，并且R^bb和R^cc、R^dd和R^ee、或R^ff和R^gg的至少一对彼此连接以提供环结构，

X²为-O-、-S-、-Se-、-Te-、-S(＝O)-、-S(＝O)₂-、-NR^a1-、-BR^a2-、-SiR^bR^c-、-SiR^bbR^cc-、-GeR^dR^e-、-GeR^ddR^ee-、-(CR^fR^g)_n1-、-(CR^ffR^gg)-、-(C(R^m)＝C(Rⁿ))-、-(C(R^mm)＝C(Rⁿⁿ))-、或-(C(R^p)＝N)-，其中R^a1、R^a2、R^b、R^c、R^d、R^e、R^f、R^g、R^m、Rⁿ、和R^p各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C6-C20芳氧基、或者取代或未取代的C3-C20杂芳基，R^bb和R^cc、R^dd和R^ee、R^ff和R^gg、或R^mm和Rⁿⁿ的至少一对彼此连接以提供环结构，且-(CR^fR^g)_n1-的n1为1或2，

R¹¹和R¹²各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、或者取代或未取代的C6-C20芳氧基，其中R¹¹和R¹²各自独立地存在或者彼此连接以提供环结构，或者SiR¹¹R¹²任选地与Ar¹或Ar²连接以提供环结构，

Ar³为具有至少一个选自C＝O、C＝S、C＝Se、和C＝Te的官能团的取代或未取代的C6-C30烃环基团，具有至少一个选自C＝O、C＝S、C＝Se、和C＝Te的官能团的取代或未取代的C2-C30杂环基团，或其稠合环，和

R¹和R²各自独立地为氢、氘、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C2-C30酰基、卤素、氰基(-CN)、含有氰基的基团、硝基、五氟硫烷基(-SF₅)、羟基、胺基、肼基、腙基、羧基或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、-SiR^aR^bR^c、或其组合，其中R^a、R^b、和R^c各自独立地为氢或者取代或未取代的C1-C10烷基。