[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，位于器件区外侧的边缘区，其特征在于，包括：

半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层；

绝缘层，自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中；

保护层，位于所述绝缘层与所述外延层之间，且与所述外延层的掺杂类型不同；

过渡层，自所述绝缘层一侧的外延层表面延伸至所述外延层中，且所述过渡层与所述保护层的掺杂类型相同；

场氧化层，位于所述绝缘层以及所述绝缘层另一侧的保护层和外延层的表面；

金属场板，位于所述过渡层和部分所述场氧化层上，且所述金属场板连接所述器件区的器件结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡层的掺杂浓度大于所述保护层的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度为0.4μm-2μm，掺杂浓度为5×10¹⁶/cm³-5×10¹⁷/cm³。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡层的深度为0.3μm-1.5μm，掺杂浓度为1×10¹⁸/cm³-1×10²⁰/cm³；所述外延层的厚度为9μm-12μm，掺杂浓度为6×10¹⁵/cm³-1.4×10¹⁶/cm³。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层和所述保护层之间还包括电介质层，所述电介质层与所述绝缘层的材料相同或不同。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电介质层或所述绝缘层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪及氧化镧中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述场氧化层上的所述金属场板具有第一宽度，所述绝缘层的宽度与所述保护层的厚度之和为第二宽度，所述场氧化层具有第三宽度，其中所述第一宽度至少占所述第三宽度的1％，且所述第一宽度小于所述第二宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件区包括二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、半导体存储器件、半导体光伏器件中的一种或多种。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述器件区包括金属氧化物半导体场效应晶体管，所述场氧化层的表面还包括层间介电层，且所述金属场板位于所述过渡层和部分所述层间介电层的表面。

10.一种半导体结构的形成方法，其中所述半导体结构位于器件区外侧的边缘区，其特征在于，所述形成方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有外延层；

形成自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中的过渡层，且所述过渡层与所述外延层的掺杂类型不同；

在所述过渡层一侧的外延层中形成沟槽；

形成自所述沟槽的底部表面及侧壁表面向所述外延层中延伸的保护层，且所述保护层与所述过渡层的掺杂类型相同；

向所述沟槽中填充绝缘层，且所述绝缘层与所述过渡层的表面共面；

在所述绝缘层的表面以及所述绝缘层一侧的保护层和外延层的表面形成场氧化层；

在所述过渡层和部分所述场氧化层上形成金属场板，且所述金属场板连接所述器件区的器件结构。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用第二离子掺杂工艺对所述沟槽的底部表面及侧壁表面进行离子注入，形成所述保护层。