[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

一种半导体结构，包括：衬底、至少一个第一栅极结构、至少一个第一间隔件、至少一个源漏结构、至少一个导体以及至少一个保护层。第一栅极结构位于衬底上。第一间隔件位于第一栅极结构的至少一个侧壁上。源漏结构邻近于第一间隔件。导体电连接至源漏结构。保护层位于导体和第一间隔件之间并且保护层位于第一栅极结构的顶面上。本发明还提供了制造半导体结构的方法。

本申请是于2016年11月22日提交的申请号为201611047374.4的名称为“半导体结构及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

优先权及交叉引用

本申请要求于2015年11月25日提交的美国临时申请序列号62/260，146的优先权，该申请的全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于诸如个人计算机、蜂窝电话、数码相机或其他电子设备的各种电子应用。半导体工业通过不断减小最小部件尺寸持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定的区域。

术语“互连”在集成电路中是指连接各个电子组件的导电线。除了在接触区域上，互连导电线通过绝缘层与衬底分隔开。随着部件密度的增加，导电线的宽度和位于互连结构的导电线之间的间隔的尺寸也变得更小。

发明内容

根据本发明的实施例，一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，位于衬底上；至少一个第一间隔件，位于第一栅极结构的至少一个侧壁上；至少一个源漏结构，邻近于第一间隔件；至少一个导体，电连接至源漏结构；以及至少一个保护层，位于导体和第一间隔件之间并且位于第一栅极结构的顶面上。

根据本发明的实施例，一种半导体结构，包括：衬底；至少一个栅极结构，位于衬底上；至少一个间隔件，位于栅极结构的至少一个侧壁上；至少一个源漏结构，位于衬底上；至少一个第一介电层，至少位于栅极结构上并且在至少一个第一介电层中具有开口，其中，通过开口暴露源漏结构；至少一个导体，至少通过开口电连接至源漏结构；以及至少一个保护层，位于导体和间隔件之间并且位于第一介电层和栅极结构之间。

根据本发明的实施例，一种制造半导体结构的方法，方法包括：在至少一个源漏结构上并且在至少一个第一栅极结构和至少一个第二栅极结构之间形成第一介电层；去除第一介电层的上部，使得第一介电层、第一栅极结构以及第二栅极结构形成凹槽；至少在凹槽的至少一个侧壁上形成保护层；在第一栅极结构、第二栅极结构、保护层以及第一介电层上形成第二介电层；在第一介电层和第二介电层中形成孔以暴露源漏结构；以及在孔中形成导体，其中导体电连接至源漏结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意增加或减少。

图1至图9是根据本发明的一些实施例在各个阶段处的用于制造半导体结构的方法的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现主题提供的不同特征。下面描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件，使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并不表示所讨论的实施例和/或配置之间的关系。