[发明专利]一种高可靠性晶圆级封装的声表滤波器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高可靠性晶圆级封装的声表滤波器结构，包括晶圆，在晶圆工作表面粘贴有PI底膜，PI底膜具有的镂空部位形成腔体和通孔，PI底膜的其余部位构成墙结构；通孔内填充有金属以形成电极通道；电极通道上端形成焊盘并在焊盘处设置焊球；在腔体开口上粘贴有PI顶膜，PI顶膜周围搭在墙结构上，PI顶膜将腔体开口完全封闭；其特征在于：在PI底膜与晶圆外周的结合界面处以及PI底膜和PI顶膜外周的结合界面处均设有保护层，该保护层将对应位置的结合界面包覆以与外界隔离。

2.根据权利要求1所述的一种高可靠性晶圆级封装的声表滤波器结构，其特征在于：PI底膜与晶圆外周的结合界面处的保护层以及PI底膜和PI顶膜外周的结合界面处的保护层连为一体以形成具有一定高度的围挡。

3.根据权利要求2所述的一种高可靠性晶圆级封装的声表滤波器结构，其特征在于：所述围挡为通过电镀形成的电镀围挡，电镀围挡与顶模上的图形层和焊球绝缘。

4.一种高可靠性晶圆级封装的声表滤波器制备方法，其特征在于：步骤如下：

1）在晶圆工作表面粘贴一层底膜；

2）通过光刻工艺去掉不需要的膜层，光刻部位形成通孔和腔体，光刻后留下的底膜构成墙结构；

3）在墙结构上再粘贴一层顶膜，顶模将上一步光刻形成的通孔和腔体封闭；

4）通过光刻工艺将与通孔对应的顶模去除，留下腔体上方的顶模；

5）在第4）步得到的产品表面通过磁控溅射形成种子层；

6）将不需要电镀部位的种子层通过光刻胶进行保护，只露出需要电镀部位的种子层；需要电镀的部位包括底膜与晶圆外周的结合界面以及底膜和顶膜外周的结合界面；

7）通过电镀在通孔内形成导通结构并在其它电镀区域形成需要的镀层结构；

8）去掉第6）步的光刻胶；

9）通过腐蚀，将第6）步光刻胶保护的种子层去掉；腐蚀时，将第7）步得到的电镀部位通过光刻胶保护，只露出需要腐蚀的区域；其中光刻胶保护的电镀部位包括底膜与晶圆外周的结合界面处的电镀部位以及底膜和顶膜外周的结合界面处的电镀部位；腐蚀完毕，去掉对应的光刻胶；

10）在通孔上方刷锡膏形成锡球。

5.根据权利要求4所述的一种高可靠性晶圆级封装的声表滤波器制备方法，其特征在于：第7）步中，底膜与晶圆外周的结合界面得到的的镀层跟底膜和顶膜外周的结合界面得到的镀层连为一体以形成具有一定高度的电镀围挡。

6.根据权利要求5所述的一种高可靠性晶圆级封装的声表滤波器制备方法，其特征在于：第6）步光刻胶保护的种子层部位还包括用于将待形成的电镀围挡与待形成的顶模上的图形层和锡球隔离的隔离区域的种子层；隔离区域的种子层在第9）步腐蚀时腐蚀彻底，从而实现电镀围挡与顶模上的图形层和锡球隔离。

7.根据权利要求4所述的一种高可靠性晶圆级封装的声表滤波器制备方法，其特征在于：所述底膜和顶模均为PI膜。