[发明专利]一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料，其特征在于，包括主成分和辅助成分，其中，以重量百分比计，主成分包括：Fe₂O₃:63wt%～65wt%，ZnO:13wt%～25wt%，NiO:7%～18wt%，余量为CuO；

所述辅助成分包括V₂O₅和Co₂O₃，以重量百分比计，V₂O₅的含量为主成分的0.2wt%～0.4wt%，Co₂O₃的含量为主成分的0.4wt%～0.8wt%；

在NFC的应用频率下，所述NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料磁导率的实部为60～150、虚部小于3。

2.根据权利要求1所述的一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料，其特征在于，所述NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的应用频率为13.56MHz。

3.一种如权利要求1或2所述的NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于，包括如下过程：

将NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的主成分原料进行球磨混料，得到混合料A；

对混合料A进行高温预烧；

将高温预烧后的混合料A与NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的辅助成分混合，得到混合物B；

对混合物B进行球磨、造粒成型，得到样坯；

将样坯进行高温梯度烧结，自然冷却降至室温，得到所述NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料，其中烧结温度为940-980℃，在烧结温度下保温时间为3.8-4.2h；

以重量百分比计，NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的主成分包括：Fe₂O₃:63wt%～65wt%，ZnO:13wt%～25wt%，NiO:7%～18wt%，余量为CuO；

NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的辅助成分包括V₂O₅和Co₂O₃，以重量百分比计，V₂O₅的含量为主成分的0.2wt%～0.4wt%，Co₂O₃的含量为主成分的0.4wt%～0.8wt%；

将NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的主成分原料进行球磨混料，得到混合料A时，向主成分原料中加入蒸馏水，采用锆球进行球磨，球磨转速为400±5转/min，球磨时间为6±0.1h；

对混合物B进行球磨时，按磨球∶混合物B∶蒸馏水=(2±0.1)∶1∶(1±0.1)的质量比混合，以400±5转/min的转速球磨8±0.1h；对混合物B进行造粒成型时，将球磨好的浆料进行干燥，再加入重量百分数为6wt%～8wt%的聚乙烯醇溶液造粒，将造好的球形颗粒筛选，取60-120目的球形颗粒，再将所取的60-120目的球形颗粒于4MPa～6MPa冷压成型为样坯。

4.根据权利要求3所述的一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于，对混合料A进行高温预烧时，将混合料A先进行烘干，之后将干燥的混合料A以1.5±0.5℃/min的升温速率升至700℃～800℃，保温2±0.1h，随炉冷却至室温后出炉，高温预烧完成。

5.根据权利要求3所述的一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于，将高温预烧后的混合料A与NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的辅助成分混合，得到混合物B时，将高温预烧后的混合料A先进行破碎处理，之后加入辅助成分得到混合物B。

6.根据权利要求3所述的一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于，将样坯进行高温梯度烧结时，将样坯以1.5±0.5℃/min的速率升温至450±20℃，之后保温2h；之后以2.5±0.5℃/min的速率升温升至900±20℃，最终以1.5±0.5℃/min的速率升至烧结温度，进行保温4±0.1h。

7.权利要求1-2任意一项所述NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料在NFC中的应用。