[发明专利]排气管装置

说明书

本发明涉及排气管装置。根据一个实施例的排气管装置包括：电介质管；射频电极；接地电极；以及等离子体产生回路。射频电极设置在电介质管的外周侧，射频电压被施加到该射频电极。接地电极在电介质管的端部侧设置成使得其与射频电极的距离在电介质管的内部侧比外部侧小，接地电势被施加到该接地电极。等离子体产生回路在电介质管的内侧产生等离子体。排气管装置用作设置在成膜室与用于对成膜室的内部进行排气的真空泵之间的排气管的一部分。

相关申请的交叉引用

本申请是基于2020年8月27日在日本提交的日本专利申请No.2020-143972并且要求其优先权，该申请的全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明的实施例涉及一种排气管装置。

背景技术

在以化学气相沉积(CVD)装置为代表的成膜装置中，原料气体被导入到成膜室中，以在设置于该成膜室中的衬底上形成所需的膜。残留在成膜室内的原料气体由真空泵经由排气管排出。此时，已经出现了一些不理想的情况，如由于原料气体产生的产物堆积在排气管中而封闭排气管，以及产物堆积在位于排气管下游的真空泵中而停止真空泵。为了去除堆积物，通过远程等离子体源(RPS)装置执行清洁处理。然而，由于RPS装置通常着重于成膜室中的清洁，因此清洁性能不足以清洁堆积在远离RPS装置的真空泵附近的排气管和真空泵中的产物。

这里，公开了一种技术，其中射频电极被放置在诸如陶瓷或石英等绝缘物质的导管的外周，利用设置在导管两端部的管道凸缘作为接地电极向该射频电极施加射频电压以在导管内部产生等离子体。此外，该技术通过等离子体执行去除在灰化、蚀刻、蒸镀、清洁和氮化等步骤中产生的未反应的气体和废气。然而，在这样的构型中，有必要增加射频电极和接地电极之间的距离，以避免导管外部的诸如电弧放电之类的异常放电，而且电压的增加也受到限制。因此，可能会出现在导管内部的等离子体产生变得不稳定的问题。

发明内容

根据一个实施例的排气管装置包括：电介质管；射频电极；接地电极；以及等离子体产生回路。射频电极被设置在电介质管的外周侧，射频电压被施加到射频电极上。接地电极被设置在电介质管的端部侧，使得其与射频电极的距离在电介质管的内部侧比外部侧小，接地电势被施加于该接地电极。等离子体产生回路在电介质管的内侧产生等离子体。排气管装置用作设置在成膜室与用于对成膜室的内部进行排气的真空泵之间的排气管的一部分。

根据该实施例，有可能在避免诸如电弧放电之类的异常放电的同时去除真空泵附近的排气管内堆积的产物。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的半导体制造装置的排气系统的构型的一个示例的构型图；

图2是从正面方向看去的根据第一实施例的排气管装置的一个示例的截面图；

图3是从顶面方向看去的根据第一实施例的排气管装置的一个示例的截面图；

图4是根据第一实施例的比较例的排气管装置的一个示例的正视图；

图5是从正面方向看去的根据第二实施例的排气管装置的一个示例的截面图；

图6是用于描述第三实施例中内管温度与清洁处理时间之间的关系的图；

图7是从正面方向看去的根据第三实施例的排气管装置的一个示例的截面图；

图8是示出根据第三实施例的变体的冷却机构的构型的一个示例的构型图。

具体实施方式

下面，在实施例中，将描述一种能够在避免电弧放电等异常放电的同时去除真空泵附近的排气管内堆积的产物的排气管装置。

(第一实施例)