[发明专利]一种手掌形灵芝盆景的制备方法

权利要求书

1.一种手掌形灵芝盆景的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

获得菌袋培养基；

将所述菌袋培养基装入菌袋中灭菌，后接种灵芝母种，获得灵芝菌袋；

将所述灵芝菌袋依次进行暗室培养、低光培养和高光培养至灵芝分化生长出菌盖，获得出芝灵芝；

将所述出芝灵芝于光照强度为200～600lx，温度为15～25℃下培养，后在所述出芝灵芝的菌盖木质化之前，在所述菌盖边缘部位涂抹300～1000倍植宝素，同时增加二氧化碳浓度至600～1500ppm，至所述菌盖边缘部位生长出灵芝柄，获得手掌形灵芝；

待所述菌盖边缘部位生长的所述灵芝柄达到9～11cm后，将所述手掌形灵芝重新进行所述高光培养，至所述手掌形灵芝全部变为红褐色的赤芝或紫褐色的紫芝；

将所述手掌形灵芝和菌袋培养基一起移出所述菌袋装入清洗灭菌后的花盆中，获得手掌形灵芝盆景。

2.根据权利要求1所述的手掌形灵芝盆景，其特征在于，所述菌袋培养基的含水量为60～80％，pH值为5～8；所述菌袋培养基的制备原料以质量分数计包括：罗汉果渣80～90％、玉米粉5～15％、红糖2～6％和石膏粉1～5％。

3.根据权利要求2所述的手掌形灵芝盆景，其特征在于，所述获得菌袋培养基，包括：

将以质量分数计的罗汉果渣80～90％用清水浸泡，后加入玉米粉5～15％、红糖2～6％、石膏粉1～5％和清水混匀，所述清水的添加量为至含水量为60～80％，获得菌袋培养基。

4.根据权利要求1所述的手掌形灵芝盆景，其特征在于，所述暗室培养包括：于温度为20～30℃，湿度为60～80％，二氧化碳浓度为200～600ppm的暗室下培养10～15天至菌丝体布满所述灵芝菌袋。

5.根据权利要求1所述的手掌形灵芝盆景，其特征在于，所述低光培养包括：控制光照强度为200～600lx，温度为20～30℃，湿度为60～80％，二氧化碳浓度为600～800ppm，至所述灵芝长出菌柄。

6.根据权利要求1所述的手掌形灵芝盆景，其特征在于，所述高光培养均包括：控制光照强度为3000～5000lx，温度为20～30℃，湿度为60～90％，二氧化碳浓度为200～600ppm。

7.根据权利要求6所述的手掌形灵芝盆景，其特征在于，所述高光培养中所述控制光照强度为3000～5000lx，具体包括：

7:00～19:00，控制光照强度为4000～5000lx，

19:00～次日7:00，控制光照强度为3000～4000lx。

8.根据权利要求1所述的手掌形灵芝盆景，其特征在于，所述花盆中添加有砂石和植被。