[发明专利]一种太阳能电池及其接触结构、电池组件及光伏系统

权利要求书

1.一种太阳能电池的接触结构，其特征在于，包括：

间隔设置于硅衬底背面的凹槽；

设置在所述硅衬底背面的第一电介质层；

设置在所述第一电介质层上，且设置在所述凹槽内的第一选择性接触区域；

设置在所述第一电介质层上，且设置在所述凹槽外的第二选择性接触区域；

设置于所述第一选择性接触区域和所述第二选择性接触区域之间的第二电介质层，所述第二电介质层为至少一层；及

设置在所述第一选择性接触区域和所述第二选择性接触区域上的导电层；

其中，所述第一选择性接触区域和所述第二选择性接触区域中的其中一者为空穴选择性接触区域，其中另一者为电子选择性接触区域；所述第一选择性接触区域和所述第二选择性接触区域中的至少一个为非硅接触层。

2.如权利要求1所述的接触结构，其特征在于，所述空穴选择性接触区域和所述电子选择性接触区域均为非硅接触层。

3.如权利要求2所述的接触结构，其特征在于，所述空穴选择性接触区域中非硅接触层的功函数大于或等于5.0eV，所述电子选择性接触区域中非硅接触层的功函数小于或等于4.2eV。

4.如权利要求2所述的接触结构，其特征在于，所述空穴选择性接触区域中非硅接触层与硅之间形成的导带带阶大于所述空穴选择性接触区域中非硅接触层与硅之间形成的价带带阶；

所述电子选择性接触区域中非硅接触层与硅之间形成的导带带阶小于所述电子选择性接触区域中非硅接触层与硅之间形成的价带带阶。

5.如权利要求3所述的接触结构，其特征在于，所述空穴选择性接触区域中非硅接触层为功函数大于或等于5.0eV的第一过渡金属氧化物层。

6.如权利要求3所述的接触结构，其特征在于，所述电子选择性接触区域中非硅接触层为功函数小于或等于4.2eV的金属层、碱金属卤化物层、或碳酸盐层。

7.如权利要求4所述的接触结构，其特征在于，所述空穴选择性接触区域中非硅接触层为第二过渡金属氧化物层、碘化物层、或导电聚合物层。

8.如权利要求4所述的接触结构，其特征在于，所述电子选择性接触区域中非硅接触层为金属氧化物层、金属硫化物层、或金属氮化物层。

9.如权利要求5所述的接触结构，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物层包括氧化钼层、氧化钒层、氧化钨层、及氧化铬层。

10.如权利要求6所述的接触结构，其特征在于，所述金属层包括钙层、镁层、钪层、镱层、及铪层；

所述碱金属卤化物层包括氟化锂层、氟化镁层、氟化铯层、氯化铯层、溴化铯、及碘化铯；

所述碳酸盐层包括碳酸铯层、碳酸钾层、碳酸铷层、碳酸钙层、碳酸锶层、及碳酸钡层。

11.如权利要求7所述的接触结构，其特征在于，所述第二过渡金属氧化物层包括氧化镍层、及氧化铜层，所述碘化物层包括碘化铜层。

12.如权利要求8所述的接触结构，其特征在于，所述金属氧化物层包括氧化钛层、氧化镁层、氧化锌层、氧化锡层、氧化钽层、氧化钡层、及氧化铌层；

所述金属硫化物层包括硫化锌层、硫化镉层、及硫化铟层；

所述金属氮化物层包括氮化钽层、及氮化钛层。

13.如权利要求1所述的接触结构，其特征在于，所述第二选择性接触区域设于所述凹槽之外的部分区域。

14.如权利要求1所述的接触结构，其特征在于，设置于所述凹槽中的第一电介质层和第一选择性接触区域的总厚度小于等于所述凹槽的深度。