[发明专利]SiC-HfB2 在审
| 申请号： | 202111003705.5 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113735589A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵宇辉;李建朝;安建良;张茜;田珊珊;郭艳飞;沈丽月 | 申请（专利权）人： | 河北工业职业技术学院 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/575;C04B35/577;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 石家庄旭昌知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 13126 | 代理人： | 曹芸丽 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic hfb base sub | ||
1.一种SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
S1、将SiC粉末、HfO2粉末、B4C粉末分别进行超声清洗，并烘干；
S2、将烘干后的所述SiC粉末与第一烧结助剂混合均匀，并经预压制得SiC预压层；将所述HfO2粉末、所述B4C粉末与第二烧结助剂混合均匀，并与去离子水混合制得浆料，将所述浆料涂覆于所述SiC预压层的表面，并经预压制得SiC-HfO2-B4C预压组合体；
S3、将所述SiC-HfO2-B4C预压组合体外包裹包裹体后进行烧结，待反应结束后取出并冷却，取出所述包裹体内制得的SiC-HfB2预制体；
S4、将所述SiC-HfB2预制体进行表面处理，制得SiC-HfB2双层复合材料。
2.根据权利要求1所述的SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于：步骤S1中所述SiC粉末、所述HfO2粉末以及所述B4C粉末的质量比为2.5～3：5～9：0.5～1.5。
3.根据权利要求1所述的SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述SiC粉末的晶粒直径为5nm～800μm；所述HfO2晶粒直径为800μm～1000μm。
4.根据权利要求1所述的SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于：
步骤S1中所述第一烧结助剂采用硅或石墨，所述第二烧结助剂采用石墨。
5.根据权利要求4所述的SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于：
步骤S2中所述的SiC粉末与所述第一烧结助剂的质量比是38～40：1；所述HfO2粉末和所述B4C粉末的质量总和与所述第二烧结助剂和所述去离子水的质量比为25～30：1：5～8。
6.根据权利要求1所述的SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于：
步骤S3中所述包裹体采用铪制成。
7.根据权利要求1所述的SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于：
步骤S3中烧结的压力为18～30Gpa，烧结的温度为1800～2200℃，烧结的保温时间为5～6小时。
8.根据权利要求1所述的SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于：
步骤S4中制得的所述SiC-HfB2双层复合材料的厚度为320～400μm。
9.根据权利要求1所述的SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于：
步骤S1中采用无水乙醇对所述SiC粉末、所述HfO2粉末以及所述B4C粉末进行超声清洗，清洗后的烘干温度为130℃～140℃。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的SiC-HfB2双层复合材料的制备方法，其特征在于：
步骤S4中所述SiC-HfB2预制体的表面先进行打磨抛光，再使用酸性溶液进行清洗。
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