[发明专利]磁存储装置及磁存储装置的制造方法

说明书

实施方式提供包括特性的不均少的开关元件的磁存储装置。一实施方式的磁存储装置包括第1导电体、硅氧化物、第2导电体及第1层叠体。硅氧化物位于第1导电体上，包含掺杂剂，包括第1导电体上的第1部分及在第1导电体上与第1部分相邻的第2部分。第2部分比第1部分高，第2部分的掺杂剂的浓度比第1部分的掺杂剂的浓度高。第2导电体位于硅氧化物的第2部分上。第1层叠体位于第2导电体上，包括第1磁性层、第2磁性层及第1磁性层与第2磁性层之间的第1绝缘层。

本申请享受以日本专利申请2020-157296号(申请日：2020年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式总的来说涉及磁存储装置及磁存储装置的制造方法。

背景技术

已知有使用了磁阻效应元件的存储装置。

发明内容

本发明所要解决的课题在于提供包括特性的不均少的开关元件的磁存储装置。

一实施方式的磁存储装置包括第1导电体、硅氧化物、第2导电体及第1层叠体。上述硅氧化物位于上述第1导电体上，包含掺杂剂，包括上述第1导电体上的第1部分及在上述第1导电体上与上述第1部分相邻的第2部分。上述第2部分比上述第1部分高，上述第2部分的上述掺杂剂的浓度比上述第1部分的上述掺杂剂的浓度高。上述第2导电体位于上述硅氧化物的上述第2部分上。上述第1层叠体位于上述第2导电体上，包括第1磁性层、第2磁性层及上述第1磁性层与上述第2磁性层之间的第1绝缘层。

附图说明

图1示出第1实施方式的磁存储装置的功能框。

图2是第1实施方式的存储单元阵列的电路图。

图3示出第1实施方式的存储单元阵列的一部分的截面的构造。

图4示出第1实施方式的存储单元阵列的一部分的截面的构造。

图5示出第1实施方式的存储单元的构造的例子的截面。

图6示出第1实施方式的存储单元的构造的例子的其它截面。

图7示出第1实施方式的磁存储装置的一部分的制造工序期间的某时间点下的构造。

图8示出接在图7之后的时间点的构造。

图9示出接在图8之后的时间点的构造。

图10示出接在图9之后的时间点的构造。

图11示出接在图10之后的时间点的构造。

图12示出接在图11之后的时间点的构造。

图13示出接在图12之后的时间点的构造。

图14示出参考用的磁存储装置的制造工序期间的一状态。

图15示出接在图14之后的时间点的构造。

图16示出第1实施方式的变形例的磁存储装置的构造的例子的截面。

图17示出第2实施方式的存储单元的构造的例子的截面。

图18示出第2实施方式的存储单元的构造的例子的其它截面。

图19示出第2实施方式的磁存储装置的一部分的制造工序期间的某时间点下的构造。

图20示出接在图19之后的时间点的构造。

图21示出接在图20之后的时间点的构造。

图22示出接在图21之后的时间点的构造。

图23示出接在图22之后的时间点的构造。