[发明专利]一种底部抗反射涂料组合物及光刻胶浮雕图像的形成方法有效

专利信息
申请号: 202111004197.2 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113621291B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 毛鸿超;李禾禾;王静;肖楠 申请(专利权)人: 厦门恒坤新材料科技股份有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 厦门荔信律和知识产权代理有限公司 35282 代理人: 赖秀华
地址: 361027 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 底部 反射 涂料 组合 光刻 浮雕 图像 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种底部抗反射涂料组合物,其特征在于,所述底部抗反射涂料组合物中含有树脂A和树脂B,所述树脂A含有叔胺基团且不含有氯基团,所述树脂B含有氯基团且不含有叔胺基团,所述树脂A和树脂B的质量比为(2~20):1;所述底部抗反射涂料组合物中的叔胺基团以及氯基团能够在无需使用单独交联剂组分以及作为催化剂的酸及生酸剂化合物的条件下实现加热固化,同时不产生挥发性物质;

所述树脂A同时包括式(A-1)所示的结构单元和式(A-2)所示的结构单元;式(A-1)所示的结构单元和式(A-2)所示的结构单元的摩尔比为(30~50):(50~70);

式(A-1),式(A-2)

式(A-1)中,R1、R2和R3各自独立地为氢、任选经取代的烷基或任选经取代的环烷基;R4为-C(=O)-O-、-O-、-(CH2)n1-O-、-O-(CH2)n2-、-(CH2)n3-、-Ar1-O-、-O-Ar2-或-Ar3-,n1和n2为正整数,n3为非负整数,Ar1、Ar2和Ar3各自独立地为任选经取代的碳环芳基或任选经取代的杂芳基;R5为任选经取代的烷基或任选经取代的环烷基且R5中至少包含一个叔胺基团;

式(A-2)中,R6、R7和R8的定义同R1;R9的定义同R4;R10为氢、任选经取代的烷基、任选经取代的环烷基或任选经取代的芳基;

所述树脂B同时包括式(B-1)所示的结构单元和式(B-2)所示的结构单元;式(B-1)所示的结构单元和式(B-2)所示的结构单元的摩尔比为(10~50):(50~90);

式(B-1),式(B-2)

式(B-1)中,R11为氢、氯基团、任选经取代的烷基或任选经取代的环烷基;R12为-C(=O)-O-、-O-、-(CH2)n1-O-、-O-(CH2)n2-、-(CH2)n3-、-Ar1-O-、-O-Ar2-或-Ar3-,n1和n2为正整数,n3为非负整数,Ar1、Ar2和Ar3各自独立地为任选经取代的碳环芳基或任选经取代的杂芳基;R13为氯基团、任选经取代的烷基或任选经取代的环烷基,且R11和R13中至少一者含有氯基团;

式(B-2)中,R14、R15和R16各自独立地为氢、任选经取代的烷基或任选经取代的环烷基;R17的定义同R12;R18为氢、任选经取代的烷基、任选经取代的环烷基或任选经取代的芳基。

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