[发明专利]一种梯次结构硅碳负极极片的制备方法及其产品在审
| 申请号： | 202111004798.3 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113782712A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 崔大祥;王金;张芳;卢玉英;葛美英;王亚坤;焦靖华;张放为;颜雪冬 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司;宁波维科电池有限公司;宁波职业技术学院 |
| 主分类号： | H01M4/1393 | 分类号： | H01M4/1393;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 梯次 结构 负极 制备 方法 及其 产品 | ||
1.一种梯次结构硅碳负极极片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）制备涂炭铜箔：选取高导电材料作为导电剂，和粘结剂按一定比例混合调浆，涂在铜箔上；
2）制备不同比例的电极浆料：将硅碳活性材料，导电剂和粘结剂按不同配比混合调浆成两份不同浓度的浆料A和浆料B；
3）将浆料A和浆料B按照不同的顺序涂在涂炭铜箔上，形成炭层-浆料层这样的梯次结构。
2.根据权利要求1所述梯次结构硅碳负极极片的制备方法，其特征在于，铜箔集流体的厚度为6-12um。
3.根据权利要求1所述梯次结构硅碳负极极片的制备方法，其特征在于，步骤1）中，导电剂和粘结剂的质量比为1：1。
4.根据权利要求1所述梯次结构硅碳负极极片的制备方法，其特征在于，步骤2）中，浆料A的硅碳活性材料、导电剂和粘结剂的质量比为9：0.5：0.5；浆料B的硅碳活性材料、导电剂和粘结剂的质量比为4：2：1。
5.根据权利要求1所述梯次结构硅碳负极极片的制备方法，其特征在于，步骤1）中，涂炭厚度为2μm。
6.根据权利要求1所述梯次结构硅碳负极极片的制备方法，其特征在于，步骤2）中，浆料A的厚度为75μm，浆料B的厚度为25μm，或者，浆料A的厚度为25μm，浆料B的厚度为75μm。
7.根据权利要求1至6任一项所述梯次结构硅碳负极极片的制备方法，其特征在于，按下述步骤：
1）制备涂炭铜箔：选取高导电材料石墨烯作为导电剂，和粘结剂按1：1比例混合调浆，涂在铜箔上，碳层厚度为2μm，在110℃下，真空干燥后备用；
2）制备不同比例的电极浆料：将硅碳活性材料、导电剂Super C和粘结剂按按照9：0.5：0.5配成浆料A和4：2：1配成浆料B；
3）先将浆料A涂在涂炭铜箔上，厚度为75μm，待干燥后，涂布浆料B，厚度为25μm，得到碳层-浆料A-浆料B梯次结构的电极，命名为电极CAB。
8.根据权利要求1至6任一项所述梯次结构硅碳负极极片的制备方法，其特征在于，按下述步骤：
1）制备涂炭铜箔：选取高导电材料氧化石墨烯作为导电剂，和粘结剂按1：1比例混合调浆，涂在铜箔上，碳层厚度为2μm，在110℃下，真空干燥后备用；
2）制备不同比例的电极浆料：将硅碳活性材料、导电剂Super C和粘结剂按分别按照9：0.5：0.5配成浆料A和4：2：1配成浆料B；
3）先将浆料B涂在涂炭铜箔上，厚度为25μm，待干燥后，涂布浆料A，厚度为75μm，得到碳层-浆料B-浆料A梯次结构的电极，命名为电极CBA。
9.一种梯次结构硅碳负极极片，其特征在于，根据权利要求1-8任一所述方法制备得到。
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