[发明专利]一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法及其产品

权利要求书

1.一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法，其特征在于，以植酸为碳源和磷源，对氧化亚硅进行包覆改性，得到一种以掺磷多孔碳为包覆层的核壳结构的复合材料，包括如下步骤：

S1：将一定质量百分比的植酸溶于去离子水，在可加热的磁力搅拌器上，不断搅拌的同时加入相应质量百分比的氧化亚硅，开启加热继续搅拌至溶液变粘稠，转入烘箱继续烘干，其中，所述植酸为3%~10%，氧化亚硅为90%~97%；

S2：将烘干后的材料转入管式炉，惰性氛围下升温至第一段温度600~800℃并保温2~5h，继续升温至第二段温度850~1000℃保温1~2h，自然冷却至室温，得到掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料。

2.如权利要求1所述的一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法，其特征在于：S1中所述氧化亚硅粒径D50为3~7μm。

3.如权利要求1所述的一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法，其特征在于：S1中所述加热搅拌温度为70~90℃，烘干温度为80~90℃。

4.如权利要求1所述的一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法，其特征在于：S2中，升温速率为1~5℃/min。

5.如权利要求1至4任一项所述的一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法，按如下步骤制备：

S1：将0.5g的植酸溶于去离子水，在可加热的磁力搅拌器上，不断搅拌的同时加入9.5g的氧化亚硅，开启加热至70℃继续搅拌至溶液变粘稠，转入80℃烘箱继续烘干；

S2：将烘干后的材料转入管式炉，惰性氛围下，升温速率3℃/min升温至第一段温度600℃并保温4h，继续升温至第二段温度900℃保温2h，自然冷却至室温，得到掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料。

6.如权利要求1至4任一项所述的一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法，按如下步骤制备：

S1：将1g的植酸溶于去离子水，在可加热的磁力搅拌器上，不断搅拌的同时加入9g的氧化亚硅，开启加热至70℃，继续搅拌至溶液变粘稠，转入烘箱80℃继续烘干；

S2：将烘干后的材料转入管式炉，惰性氛围下，升温速率5℃/min升温至700℃温度并保温3h，继续升温至950℃度并保温1h，自然冷却至室温，得到掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料。

7.如权利要求1至4任一项所述的一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法，按如下步骤制备：

S1：将0.6g的植酸溶于去离子水，在可加热的磁力搅拌器上，不断搅拌的同时加入9.4g的氧化亚硅，开启加热至90℃，继续搅拌至溶液变粘稠，转入烘箱80℃继续烘干；

S2：将烘干后的材料转入管式炉，惰性氛围下，升温速率5℃/min升温至700℃温度并保温4h，继续升温至1000℃度并保温1h，自然冷却至室温，得到掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料。

8.一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料，其特征在于根据权利要求1-7任一所述方法制备得到。