[发明专利]一种CuI:Cl-PS复合闪烁体及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202111004891.4 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113652226B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 刘小林;郝书童;顾牡 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/61;G01N23/223;G01T1/20
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 蒋亮珠
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 cui cl ps 复合 闪烁 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,该方法利用固相反应法对CuI粉末进行Cl掺杂制得CuI: Cl粉末,然后利用溶解蒸发法将CuI: Cl粉末与聚苯乙烯材料复合,最后通过退火处理制得CuI: Cl-PS复合闪烁体,具体包括以下步骤:

(1)利用固相反应法对CuI粉末进行Cl掺杂,得到CuI: Cl粉末;

(2)将反应后的CuI: Cl粉末取出,并进行研磨以及干燥;

(3)将CuI: Cl和PS粉末倒入溶剂中,充分搅拌至PS粉末完全溶解;所述的CuI:Cl与PS粉末的质量比为(0.5-5): (99.5-95);

(4)将混合物倒入模具中,密封保存;

(5)将混合物蒸发干燥;对干燥后的混合物进行脱模、切割和抛光,得到CuI: Cl-PS复合片;

(6)将CuI: Cl-PS复合片进行退火处理,最终得到CuI:Cl-PS复合闪烁体;所述退火的温度为75-85℃,时间为20-40 min,降温速率为1-5℃/min;

CuI粉末经过Cl掺杂以及与PS复合后,仍为γ-CuI相,且未出现其它杂相,CuI: Cl-PS复合闪烁体在434 nm处具有一个强烈的近带边发光,并且通过Cl掺杂,其原本位于680-720nm附近的深能级发光被完全抑制。

2.根据权利要求1所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,步骤(1)的具体步骤包括:

(1-1)将CuI与CuCl粉末混合,并研磨,

(1-2)用惰性气体对混合粉末进行预通气;

(1-3)在惰性气体氛围下,加热升温,并保温后,自然冷却,完成CuI: Cl粉末的制备。

3.根据权利要求2所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,所述的CuI与CuCl的摩尔比为(99-80): (1-20)。

4.根据权利要求2所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,步骤(1-3)中所述加热的温度为400-500℃,保温的时间为0.5-3 h。

5.根据权利要求1所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,所述研磨的时间为10-30 min。

6.根据权利要求1所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,所述干燥的温度为75-85℃,时间为12-24 h;所述搅拌的时间为0.5-2 h;所述保存的时间为1-3天;所述蒸发干燥的时间为5-10天。

7.一种如权利要求1-6任一项所述方法制备的CuI: Cl-PS复合闪烁体。

8.一种如权利要求7所述CuI: Cl-PS复合闪烁体的应用,其特征在于,该复合闪烁体应用于超快硬X射线的探测与成像。

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