[发明专利]一种CuI:Cl-PS复合闪烁体及其制备方法和应用有效
申请号: | 202111004891.4 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN113652226B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 刘小林;郝书童;顾牡 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/61;G01N23/223;G01T1/20 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 蒋亮珠 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cui cl ps 复合 闪烁 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,该方法利用固相反应法对CuI粉末进行Cl掺杂制得CuI: Cl粉末,然后利用溶解蒸发法将CuI: Cl粉末与聚苯乙烯材料复合,最后通过退火处理制得CuI: Cl-PS复合闪烁体,具体包括以下步骤:
(1)利用固相反应法对CuI粉末进行Cl掺杂,得到CuI: Cl粉末;
(2)将反应后的CuI: Cl粉末取出,并进行研磨以及干燥;
(3)将CuI: Cl和PS粉末倒入溶剂中,充分搅拌至PS粉末完全溶解;所述的CuI:Cl与PS粉末的质量比为(0.5-5): (99.5-95);
(4)将混合物倒入模具中,密封保存;
(5)将混合物蒸发干燥;对干燥后的混合物进行脱模、切割和抛光,得到CuI: Cl-PS复合片;
(6)将CuI: Cl-PS复合片进行退火处理,最终得到CuI:Cl-PS复合闪烁体;所述退火的温度为75-85℃,时间为20-40 min,降温速率为1-5℃/min;
CuI粉末经过Cl掺杂以及与PS复合后,仍为γ-CuI相,且未出现其它杂相,CuI: Cl-PS复合闪烁体在434 nm处具有一个强烈的近带边发光,并且通过Cl掺杂,其原本位于680-720nm附近的深能级发光被完全抑制。
2.根据权利要求1所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,步骤(1)的具体步骤包括:
(1-1)将CuI与CuCl粉末混合,并研磨,
(1-2)用惰性气体对混合粉末进行预通气;
(1-3)在惰性气体氛围下,加热升温,并保温后,自然冷却,完成CuI: Cl粉末的制备。
3.根据权利要求2所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,所述的CuI与CuCl的摩尔比为(99-80): (1-20)。
4.根据权利要求2所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,步骤(1-3)中所述加热的温度为400-500℃,保温的时间为0.5-3 h。
5.根据权利要求1所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,所述研磨的时间为10-30 min。
6.根据权利要求1所述的一种CuI: Cl-PS复合闪烁体的制备方法,其特征在于,所述干燥的温度为75-85℃,时间为12-24 h;所述搅拌的时间为0.5-2 h;所述保存的时间为1-3天;所述蒸发干燥的时间为5-10天。
7.一种如权利要求1-6任一项所述方法制备的CuI: Cl-PS复合闪烁体。
8.一种如权利要求7所述CuI: Cl-PS复合闪烁体的应用,其特征在于,该复合闪烁体应用于超快硬X射线的探测与成像。
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