[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法、以及电子机器

说明书

本发明涉及固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法、以及电子机器，可减小画素间的串扰，而且可谋求画素尺寸的小型化，另外，可降低混色，谋求高灵敏度化、高性能化。画素部(20)构成为在半导体基板(210)形成有作为光电转换部的光二极管(PD211至216)，且在让光二极管(PD211至PD216)的光入射的一面侧包含下列而构成：光高吸收层(HA层)(280)，在光二极管(光电转换部)(PD211至PD216)的一面侧表面来控制入射光的反射成分，且使的再扩散于光电转换部中；及漫射光抑制结构体(290)，抑制朝向包含光高吸收层(280)的光电转换部的一面侧的光入射路中(光散射所导致)的漫射光。

技术领域

本发明关于一种固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法、以及电子机器。

背景技术

已有一种CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补性金属氧化半导体)影像感测器(image sensor)被作为固体摄像装置而提供于实际的使用上，该固体摄像装置使用了检测光而使电荷产生的光电转换元件。

CMOS影像感测器一般使用红(R)、绿(G)、蓝(B)的三原色滤光器(filter)或蓝绿(cyan)、深红(magenta)、黄(yellow)、绿(green)的四色补色滤光器来拍摄彩色画像。

一般而言，在CMOS影像感测器中，画素(pixel，像素)个别地具备有滤光器。滤光器将主要使红色光穿透的红(R)滤光器、主要使绿色光穿透的绿(Gr、Gb)滤光器、及主要使蓝色光穿透的蓝(B)滤光器的四个经正方排列而成的子像素群作为属于单位RGB子像素群组的多像素(multi pixel)而排列成二维状。

此外，进入CMOS影像感测器的入射光通过滤光器而在光二极管(photo diode)受光。由于光二极管会接收比人类的可视区域(380nm至780nm左右)更广波长域(380nm至1100nm)的光而使信号电荷发生，故会产生红外光成分的混色，而使色重现性降低。

因此，一般来说，通过预先设置于摄像机套组(camera set)内的红外线截断滤光器(cut filter)(IR截断滤光器)来去除红外光。

不过，由于IR截断滤光器会使可视光衰减达10％至20％左右，故会使固体摄像装置的灵敏度降低，导致画质劣化。

于是，提出一种不使用IR截断滤光器的CMOS影像感测器(固体摄像装置)(例如参照专利文献1)。

此CMOS影像感测器将包含主要使红色光穿透的红(R)滤光器的R子像素、包含主要使绿色光穿透的绿(G)滤光器的G子像素、包含主要使蓝色光穿透的蓝(B)滤光器的B子像素、及接收红外光的专用的近红外(NIR，例如940nm)子像素、或接收黑白(Monochrome：M)和红外光的黑白红外(M-NIR，例如500nm至955nm)子像素的四个经正方排列而成的子像素群作为属于单位RGBIR子像素群组的多像素(multi pixel)而排列成二维状。

此CMOS影像感测器作为可获得所谓的NIR画像和RGB画像的NIR-RGB感测器而产生作用。

在此CMOS影像感测器中，可使用接收到红外光的子像素的输出信号来修正接收到红色、绿色、蓝色的光的子像素的输出信号，无须使用IR截断滤光器即可实现高的颜色重现性。

不过，近年来在CMOS影像感测器中，已知有一种通过在属于光电转换部的光二极管的表面(Si表面)上形成光高吸收层(High Absorption Layer：以下也有时称为HA层)，而使在宽广的波长域的灵敏度提升的技术(例如参照专利文献2)。

这些HA层于形成有光二极管的入射光侧的Si表面上形成，且在此Si表面来控制入射光的反射成分，且使的再扩散于光二极管中，从而可使灵敏度提升。