[发明专利]一种通孔填充制作方法

说明书

本发明涉及通孔填充制作方法，包括以下步骤：提供已完成通孔、绝缘层制备的样件，在完成通孔和绝缘层制备的样件上的通孔侧壁及表面电镀或化镀金属层；将样件任意一面键合在第一载板上，在另一面压入干膜填充通孔并均匀覆盖表面；将表面干膜图案化后去除除通孔区域之外的干膜，并固化剩余干膜；在表面制作图案介质层，去除未被介质层覆盖的金属层，并将介质层全部清除；将样件已加工一面键合到第二载板上，并将样件与第一载板上解键合，重复压干膜、图案化、去除干膜、干膜固化、制作图案介质层、去除金属层和介质层、将样件从第二载板上解键合，完成通孔填充制作，并实现电互联。该方法孔洞率小、对高端设备依赖小、封装可靠性高，生产效率高。

技术领域

本发明涉及一种集成电路的封装方法，尤其是一种通孔填充制作方法。

背景技术

三维集成工艺是目前集成电路的主要发展方向，因其高频特性出色，能减小传输延时、降低噪声、封装尺寸小、热膨胀可靠性高等优点受到业界的重视，可应用范围也较广。

现有通孔填充工艺主要是用电镀工艺淀积金属填充通孔完成电互联。这一工艺中对材料、设备要求高，且工艺窗口窄，通孔填充金属后易出现空洞，对整个电路的可靠性造成影响。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种对材料、设备要求低、通孔填充后不易出现空洞、电路可靠性高的一种通孔填充制作方法，具体技术方案为：

一种通孔填充制作方法，包括以下步骤：对样件的通孔侧壁及样件的表面电镀或化镀金属层，所述样件为已完成通孔和绝缘层制备的样件；将所述样件任意一面键合在第一载板上，在另一面压入干膜填充所述通孔，并均匀覆盖所述样件的表面；将表面干膜图案化后，去除除所述通孔区域之外的干膜，对保留的干膜进行固化；接着在所述样件的表面制作具有图案的介质层，通过刻蚀液刻蚀掉未被所述介质层覆盖的金属层后，将所述介质层全部清除；将所述样件已加工一面键合到第二载板上，并将所述样件与所述第一载板上解键合，然后压入干膜填充所述通孔内未填充部分并均匀覆盖所述样件的表面；将表面干膜图案化后，去除除开口区域之外的干膜，对保留的干膜进行固化；接着在表面制作具有图案的介质层，通过刻蚀液刻蚀掉未被所述介质层覆盖的金属层后，将所述介质层全部清除；最后将所述样件从所述第二载板上解键合，完成通孔填充制作，并实现电互联。

优选的，所述样件包括硅、玻璃或树脂料，所述样件包括任意尺寸的晶圆级或板级，所述样件的厚度不大于1000μm。

优选的，所述电镀或化镀金属层中的金属包括Ni、Cu、Au中的一种或多种，所述金属层厚度不小于1μm，所述金属层可通过相应成分的刻蚀液刻蚀掉。

优选的，所述第一载板和所述第二载板包括硅板、玻璃板或金属板，所述第一载板和所述第二载板的外形与所述样件的外形一致，所述第一载板和所述第二载板的厚度均不小于300μm。

优选的，所述键合方法是通过键合胶将所述样件与所述第一载板和所述第二载板粘接在一起，所述键合胶可在一定条件下失去粘接力，分离所述样件与所述第一载板和所述第二载板。

优选的，所述干膜图案化方法为通过光刻工艺使曝光部分的干膜改性，用溶剂将不需要保留部分的干膜剥离，形成所需图案，保留的干膜在一定温度下固化，所述干膜材料包括树脂类和聚酰亚胺类在内的聚合物材质。

优选的，所述介质层的制作方法为通过光刻工艺使曝光部分的介质层改性，用溶剂将不需要保留部分的介质层剥离，形成所需图案，相关工艺完成后，再通过另一溶剂将剩余介质层剥离，所述介质层不能实现永久保留，所述介质层材料包括聚酰亚胺类、乙烯基树脂类、环氧树脂类和聚对二甲苯在内的聚合物材质。

与现有技术相比本发明具有以下有益效果：

本发明提供的一种通孔填充制作方法可以有效的降低通孔填充的孔洞率，降低对高端设备的依赖，极大的提高了封装的可靠性，提高生产效率，提升产品成品率和良率；并且能适应大规模的工业生产，从而降低了制造的成本。

附图说明