[发明专利]晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器在审

专利信息
申请号: 202111007845.X 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113725136A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 蔡志勇;张育龙;武素衡;熊少游 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/67
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 霍文娟
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 对准 方法 系统 计算机 可读 存储 介质 处理器
【说明书】:

发明公开了一种晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器。其中,该方法包括:获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息;据位置偏移信息,确定支撑组件的运动控制参数,其中,支撑组件用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离;基于运动控制参数控制支撑组件移动,支撑组件带动晶圆移动,以使晶圆和承载组件对准。本发明解决了相关技术中晶圆位置发生偏移,导致Cu互连工艺稳定性差的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器。

背景技术

在晶圆的Cu互连工艺中,利用静电吸附将晶圆拉平固定在E-chuck(静电吸附卡盘)表面,为满足朝小尺寸的填空需求,在籽晶层沉积过程中引入高温回流工艺,高温回流工艺中需要多次对晶圆进行吸附以及释放吸附,由于当释放吸附时,E-chuck的静电并未完全消除,引起对晶圆的不完全释放,晶圆的不完全释放和晶圆自身的翘曲差异,会导致晶圆与E-chuck之间发生位置偏移,偏移会影响晶圆上Cu沉积的台阶覆盖率和均匀性,偏移严重时可能导致晶圆破片,进而导致Cu互连工艺稳定性差。

针对上述相关技术中晶圆位置发生偏移,导致Cu互连工艺稳定性差的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶圆的对准方法、系统、计算机可读存储介质及处理器,以至少解决相关技术中晶圆位置发生偏移,导致Cu互连工艺稳定性差的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面,提供了一种晶圆的对准方法,包括:获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息;据位置偏移信息,确定支撑组件的运动控制参数,其中,支撑组件用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离;基于运动控制参数控制支撑组件移动,支撑组件带动晶圆移动,以使晶圆和承载组件对准。

进一步地,获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息,包括:获取晶圆的第一标识位置和承载组件的第二标识位置;根据第一标识位置与第二标识位置之间的偏移方向和偏移距离,得到位置偏移信息。

进一步地,支撑组件至少包括第一支撑部和第二支撑部,支撑组件位于晶圆和承载组件之间且与承载组件连接,获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息,包括:获取第一支撑部距晶圆的指定位置的第一距离,以及第二支撑部距指定位置的第二距离;根据第一距离和第二距离,确定位置偏移信息。

进一步地,指定位置包括晶圆上与第一支撑部对应的第一边缘位置和与第二支撑部对应的第二边缘位置,获取晶圆与承载组件之间的位置偏移信息,包括:获取第一支撑部距第一边缘位置的第一距离,以及第二支撑部距第二边缘位置的第二距离;根据第一距离和第二距离,确定晶圆与承载组件的偏移方向和偏移距离;确定偏移方向和偏移距离为位置偏移信息。

进一步地,根据位置偏移信息,确定支撑组件的运动控制参数,包括:根据位置偏移信息,确定支撑组件的运动方向和运动距离;确定支撑组件的运动方向和运动距离为运动控制参数。

进一步地,支撑组件包括多个支撑部,根据位置偏移信息,确定支撑组件的运动方向和运动距离,包括:根据位置偏移信息,从多个支撑部中确定目标支撑部,以及目标支撑部的运动方向和运动距离,其中,目标支撑部用于根据运动控制参数运动移动。

根据本发明实施例的另一方面,还提供了一种晶圆的对准系统,包括:承载组件,用于承载晶圆;支撑组件,用于在预设条件下将晶圆与承载组件分离;控制组件,与支撑组件通信连接,控制组件用于执行上述任一种的对准方法。

进一步地,对准系统还包括:光电检测装置,用于检测位置偏移信息。

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