[发明专利]一种新型银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料及其制备方法有效
申请号: | 202111009492.7 | 申请日: | 2021-08-31 |
公开(公告)号: | CN113754310B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 齐亚芳;赵肖月;周文辉;周正基;寇东星;武四新 | 申请(专利权)人: | 河南大学 |
主分类号: | C03C17/22 | 分类号: | C03C17/22;C01B33/00;H01L31/032 |
代理公司: | 郑州豫乾知识产权代理事务所(普通合伙) 41161 | 代理人: | 任伟柯 |
地址: | 475000 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 银铅硅硫硒 薄膜 吸收 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)配制溶剂混合液
按体积比(3~5):(2~4):(1.5~3)分别称取无水乙醇、1-正丁胺和二硫化碳,并将上述溶剂混合得溶剂混合液;
2)制备前驱体溶液
按照计量比Ag:Pb:Si=(3~5):(1.5~3):(1.5~3)分别称取醋酸银、氧化铅和硅酸四乙酯,将醋酸银(C2H3O2Ag)、氧化铅(PbO)、硅酸四乙酯(C8H20O4Si)依次加入到步骤1)中的溶剂混合液中溶解得银铅硅硫(Ag2PbSiS4)分子前驱体溶液;
3)Ag2PbSiS4前驱体薄膜的制备
在氩气气氛下,将Ag2PbSiS4前驱体溶液在溅射有700nm~900 nm 钼(Mo)背接触层的钙钠玻璃上经多次旋涂、预烧处理后得厚度为1.8 μm~2.2 μm的银铅硅硫(Ag2PbSiS4)前驱体薄膜;
4)Ag2PbSi(S,Se)4吸收层薄膜的制备
将Ag2PbSiS4前驱体薄膜在氩气气氛下高温退火硒化后冷却至室温,得到银铅硅硫硒(Ag2PbSi(S,Se)4) 吸收层薄膜。
2.如权利要求1所述的银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中,无水乙醇与1-正丁胺的用量比为(1~2):1。
3.如权利要求1所述的银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中,采用磁力搅拌混合,搅拌速度为1000 rpm~1200 rpm,搅拌时间为10 min~20 min。
4.如权利要求1所述的银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料的制备方法,其特征在于,步骤2)中,物料的加料顺序是:先将醋酸银(C2H3O2Ag)加入到步骤1)配制的溶剂混合液中,于40°C~55 °C下以1100 rpm~1300 rpm的转速磁力搅拌2 h~3 h溶解;再将氧化铅(PbO)加入上述体系中,继续在40 °C~55 °C下以1100 rpm~1300 rpm磁力搅拌1 h~2 h溶解,之后向该体系加入硅酸四乙酯(C8H20O4Si),在40 °C~55 °C下以1100 rpm~1300 rpm的转速磁力搅拌2 h~3 h溶解。
5.如权利要求1所述的银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中,每次旋涂、预烧的具体操作为:先以旋涂速度为2000 rpm ~3000 rpm 旋涂20 s~30s得薄膜,随后薄膜于200℃~300℃下预烧1 min~3min。
6.如权利要求1所述的银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料的制备方法,其特征在于,步骤3)中,旋涂、预烧处理6~8次;所述钙钠玻璃上溅射有700nm~900 nm Mo背接触层。
7.如权利要求1所述的银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料的制备方法,其特征在于,步骤4)中,先将Ag2PbSiS4前驱体薄膜放于盛有400 mg~500 mg硒粒的方形石墨盒后,再在氩气气氛下高温退火硒化。
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