[发明专利]一种具有栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件

权利要求书

1.一种具有栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件，其特征在于，该氮化镓功率器件包括：P型硅衬底(1)，在P型硅衬底(1)上方设有氮化铝缓冲层(2)，氮化铝缓冲层(2)上方设有铝镓氮缓冲层(3)，铝镓氮缓冲层(3)上方设有氮化镓缓冲层(4)，氮化镓缓冲层(4)上方的中部设有铝镓氮势垒层(5)，两边设有源极(6)及漏极(7)，源极(6)及漏极(7)上方设有金属分别作为源极(6)和漏极(7)连接铝镓氮势垒层(5)两端至外围的输入\输出，源极(6)金属与铝镓氮势垒层(5)左端形成欧姆接触，漏极(7)和铝镓氮势垒层(5)右端形成欧姆接触；铝镓氮势垒层(5)上方设有第一P型氮化镓层(11)，第一P型氮化镓层(11)上方设有第二P型氮化镓层(12)，第二P型氮化镓层(12)上方设有第三P型氮化镓层(13)，第三P型氮化镓层(13)上方设有栅极(10)金属连接第三P型氮化镓层(13)至结构外围的输入\输出，栅极(10)金属和第三P型氮化镓层(13)形成肖特基接触；铝镓氮势垒层(5)上方漏极(7)与第一P型氮化镓层(11)、第二P型氮化镓层(12)、第三P型氮化镓层(13)之间设有氮化物钝化层(9)，源极(6)与第一P型氮化镓层(11)、第二P型氮化镓层(12)、第三P型氮化镓层(13)之间设有氮化物钝化层(8)。

2.根据权利要求1所述的具有栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件，其特征在于，所述第一P型氮化镓层(11)、第二P型氮化镓层(12)、第三P型氮化镓层(13)和栅极(10)在源极(6)及漏极(7)之间相对距离源极(6)较近，相对距离漏极(7)较远。

3.根据权利要求1所述的具有栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件，其特征在于，所述铝镓氮势垒层(5)与栅极(10)之间设有P型氮化镓层(11)、P型氮化镓层(12)和P型氮化镓层(13)。

4.根据权利要求1所述的具有栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件，其特征在于，所述P型氮化镓层(11)、P型氮化镓层(13)掺杂浓度为1.0×10¹⁶粒子数cm^-3～1.0×10¹⁸粒子数cm^-3，P型氮化镓层(12)掺杂浓度为5.0×10¹⁸粒子数cm^-3～5.0×10¹⁹粒子数cm^-3。