[发明专利]显示装置及其制作方法

说明书

本发明提出一种显示装置及其制作方法。显示装置具有显示区与非显示区。显示装置包括：基板、元件层、电极图案层、光刻胶图案层以及发光元件。元件层设置于基板上。电极图案层设置于元件层上，电极图案层具有多个电极。光刻胶图案层设置于电极图案层上，光刻胶图案层具有：第一光刻胶图案，对应于显示区而设置，且第一光刻胶图案对应于电极而设置；第二光刻胶图案，对应于非显示区而设置，且第二光刻胶图案设置于电极之间的位置。发光元件设置于光刻胶图案层上，且电性连接到电极图案层的电极。

技术领域

本发明涉及一种显示装置及其制作方法，且特别涉及一种具有良好的显示品质(Display quality)的显示装置及其制作方法。

背景技术

现行的微发光二极管显示器(Micro LED display)、次毫米发光二极管显示器(Mini LED display)的设计目标，必须在非显示区上设置低反射层(例如，树脂黑矩阵(Resin Black Matrix)、遮光金属(Black Metal)等，以达到降低金属走线的高反射率，以及贴近外观暗色系的品味等需求。

目前的低反射层可采用：在彩色滤光片工厂(Color Filter Fab)所制作的树脂黑矩阵(Resin Black Matrix)，或是，在阵列基板工厂(Array Fab)所制作的遮光金属(Blackmetal)。若采用树脂黑矩阵，会有转送到彩色滤光片工厂的成本衍生。若采用遮光金属，由于遮光金属是导体，会造成寄生电容的影响，且需要多增加一道掩模工艺。

另外，若采用树脂黑矩阵或其他光刻胶材料，来作为非显示区的低反射层，那么，其地形会产生显著的高低段差，容易造成后续模块工艺中，在进行发光二极管的接合工艺(Bonding process)时，其凸出高度会造成巨量转移与地形高度的相互干扰，而导致发光二极管的不良的电性连接。

发明内容

本发明提供一种显示装置，具有平坦的光刻胶图案层，用来承载多个发光元件。当进行多个发光元件的巨量转移工艺与接合工艺时，能够提升发光元件与电极之间的电性连接的良率。

本发明提供一种显示装置的制作方法，能够在阵列基板工厂中进行光刻胶图案层的制作，并不需要转送到彩色滤光片工厂，而可节省成本，并且，也不需要采用遮光金属，而不会造成寄生电容的影响，且可节省掩模工艺。

基于上述，本发明提出一种显示装置，具有显示区与非显示区。显示装置包括：基板、元件层、电极图案层、光刻胶图案层以及发光元件。元件层设置于基板上。电极图案层设置于元件层上，电极图案层具有多个电极。光刻胶图案层设置于电极图案层上，光刻胶图案层具有：第一光刻胶图案，对应于显示区而设置，且第一光刻胶图案对应于电极而设置；第二光刻胶图案，对应于非显示区而设置，且第二光刻胶图案设置于电极之间的位置。发光元件设置于光刻胶图案层上，且电性连接到电极图案层的电极。

在本发明的一实施例中，第一光刻胶图案的高度与第二光刻胶图案的高度彼此相同。发光元件设置于第一光刻胶图案与第二光刻胶图案所构成的光刻胶图案层的平面上方。

在本发明的一实施例中，光刻胶图案层具有开口，曝露出电极图案层的电极。发光元件经由开口，而电性连接到电极图案层的电极。

在本发明的一实施例中，第一光刻胶图案的可见光区的穿透率为25％～100％。

本发明的一实施例中，第一光刻胶图案的可见光区的反射率小于等于20％。

本发明的一实施例中，第二光刻胶图案的可见光区的穿透率为0％～40％。

本发明的一实施例中，第二光刻胶图案的可见光区的反射率小于等于15％。

本发明的一实施例中，发光元件包括：微发光二极管(Micro LED)、或次毫米发光二极管(Mini LED)。