[发明专利]一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法有效

专利信息
申请号: 202111010917.6 申请日: 2021-08-31
公开(公告)号: CN113716775B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 杨红梅;孙冬;向迎洪;杨汉军;黄文凤;肖德龙;刘世林;黄莉;蒲柳;杨永见;张伟才 申请(专利权)人: 四川恒泰环境技术有限责任公司
主分类号: C02F9/10 分类号: C02F9/10;C02F1/04;C02F1/52;C02F1/56;C02F1/66;C02F1/72;C02F1/78;C02F101/10;C02F101/14;C02F101/16
代理公司: 成都为知盾专利代理事务所(特殊普通合伙) 51267 代理人: 李汉强
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 砷化镓 芯片 高砷高盐 废水 研磨 综合 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)高砷高盐废水结晶脱盐并单效蒸发预处理:当环境温度≤10℃时,先进行结晶脱盐预处理,脱水后的滤液送入高砷高盐废水调节池;当环境温度>10℃时,将高砷高盐砷化镓废水直接送入高砷高盐废水调节池内;

(2)高砷高盐废水调节池的废水被送入pH 调节池,调节pH 后再进行蒸发处理,分别得到冷凝液、结晶盐和母液;将冷凝液送入综合调节池;结晶盐作为危废外运处置;母液返回蒸发器,并根据COD浓度的多少定期委外处理;

(3)含砷研磨废水沉淀预处理:含砷研磨废水首先进入絮凝沉淀池,投加絮凝剂进行一段混凝沉淀,去除大部分研磨悬浮物和磷后被送入综合调节池内;

(4)综合废水除砷除磷除氟沉淀处理,将综合调节池内pH 值调节为中性后,将废水送入除砷除磷除氟反应池,加入沉淀剂沉淀砷、磷和氟离子后,投加絮凝剂进行二段混凝沉淀,凝絮沉淀后将废水送入芬顿氧化池;

(5)芬顿臭氧二级氧化及沉淀处理:将废水pH 值调节为3 后,投入A 组物料进行芬顿反应,芬顿反应完成后,将废水pH 值调节为8,投入助凝剂进行三段混凝沉淀,沉淀完成,将废水引入中间水池,投加B 组物料进行臭氧催化氧化反应;待臭氧催化氧化完成,再向废水中投入絮凝剂,进行四段混凝沉淀;

(6)氨氮处理:向完成四段混凝沉淀后的废水中投入氧化剂,去除氨氮,再投入还原剂去除多余氧化剂,后投加强碱将pH 值调为7;

(7)树脂吸附处理:利用离子吸附树脂对pH 值为7 的废水进行吸附,检测,实现达标排放;

(8)污泥处理: 将一至四段混凝沉淀中产生的污泥送入污泥浓缩池,定期投入离心脱水机内,脱水后的滤液进入高砷高盐废水调节池继续处理,滤饼作为危废处置。

2.根据权利要求1 所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其特征在于,所述步骤(1)中,所述结晶脱盐预处理,即将高砷高盐砷化镓废水送入结晶罐内进行结晶,结晶后通过离心机进行脱水处理,脱水后的滤液送入高砷高盐废水调节池。

3.根据权利要求1 所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其特征在于,所述步骤(2)中,在蒸发处理前,先通过氢氧化钠将pH 调节为7,所述蒸发处理为使用单效蒸发器进行蒸发处理,单效蒸发器采用导热油炉作为热源。

4.根据权利要求1 所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其

特征在于,所述絮凝剂为碱式氯化铝和聚丙烯酰胺。

5.根据权利要求1 所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其特征在于,所述沉淀剂为硫酸亚铁和氯化钙。

6.根据权利要求5 所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其特征在于,步骤(5)中,所述A 组物料为硫酸亚铁和双氧水,所述B 组物料为硫酸亚铁和臭氧。

7.根据权利要求1 所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其特征在于,所述步骤(5)中,将pH 升高所用pH 调节剂为氢氧化钠,pH 值降低所用pH值调节剂为硫酸。

8.根据权利要求1 所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其特征在于,所述步骤(5)中,臭氧催化氧化完成后,在四段混凝沉淀前,将废水pH 值调节为8。

9.根据权利要求1 所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其特征在于,所述步骤(6)中,所述氧化剂为次氯酸钠,所述还原剂为亚硫酸氢钠。

10.根据权利要求1-9 任一项所述的一种砷化镓芯片高砷高盐废水和含砷研磨废水综合处理方法,其特征在于,所述步骤(7)中,可排放废水中砷含量为0.1mg/L 以下。

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