[发明专利]显示面板的制作方法、显示面板及电子设备在审
申请号: | 202111011150.9 | 申请日: | 2021-08-31 |
公开(公告)号: | CN113725391A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 张荣;丁冬;钱先锐;刘海亮 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 张红平 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 电子设备 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在发光器件层的出光侧制作第一无机封装层;
在所述第一无机封装层远离所述发光器件层的一侧制作有机封装围堰;
在所述第一无机封装层远离所述发光器件层的一侧,且在所述有机封装围堰内制作与所述有机封装围堰接触的有机封装膜层;
在所述第一无机封装层、有机封装围堰及有机封装膜层远离所述发光器件层的一侧制作第二无机封装层。
2.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板包括有效显示区以及围绕所述有效显示区的非显示区,所述在所述第一无机封装层远离所述发光器件层的一侧制作有机封装围堰的步骤,包括:
在所述第一无机封装层与所述显示面板的非显示区所对应的区域采用第一有机材料制作形成所述有机封装围堰;
所述在所述第一无机封装层远离所述发光器件层的一侧,且在所述有机封装围堰内制作与所述有机封装围堰接触的有机封装膜层的步骤,包括:
在所述有机封装围堰内所述第一无机封装层与所述显示面板的有效显示区所对应的区域采用第二有机材料制作形成所述有机封装膜层,其中,所述第一有机材料的粘度高于所述第二有机材料的粘度。
3.如权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一无机封装层与所述显示面板的非显示区所对应的区域采用第一有机材料制作形成所述有机封装围堰的步骤,包括:
采用喷墨打印的方式将所述第一有机材料打印到所述第一无机封装层与所述显示面板的非显示区所对应的区域,形成所述有机封装围堰;
所述在所述有机封装围堰内所述第一无机封装层与所述显示面板的有效显示区所对应的区域采用第二有机材料制作形成所述有机封装膜的步骤,包括:
采用喷墨打印的方式将所述第二有机材料打印到所述有机封装围堰内所述第一无机封装层与所述显示面板的有效显示区所对应的区域,形成所述有机封装膜。
4.如权利要求3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述采用喷墨打印的方式将所述第一有机材料打印到所述第一无机封装层与所述显示面板的非显示区所对应的区域,形成所述有机封装围堰的步骤中,
形成的所述有机封装围堰在垂直于所述有机封装围堰延伸方向的宽度为所述显示面板的宽度的0.1%~1%。
5.如权利要求2-4中任意一项所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一有机材料的粘度范围为12~16毫帕/秒,所述第二有机材料的粘度范围为20~25毫帕/秒。
6.如权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一有机材料及所述第二有机材料为环氧系材料或压克力系材料。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用权利要求1所述的显示面板的制作方法制作而成,所述显示面板包括发光器件层及位于发光器件层上的封装层;
所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层;
所述第一无机封装层位于所述发光器件层的发光侧;
所述有机封装层位于所述第一无机封装层远离所述发光器件层的一侧;
所述第二无机封装层位于所述有机封装层远离所述发光器件层的一侧;
所述有机封装层包括有机封装围堰,及位于所述有机封装围堰内且与所述有机封装围堰接触的有机封装膜层。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括有效显示区以及围绕所述有效显示区的非显示区,其中:
所述有机封装围堰位于所述非显示区,所述有机封装膜层位于所述有效显示区;或者
所述有机封装围堰位于所述非显示区,所述有机封装膜层包括位于所述有效显示区的第一部分以及位于所述非显示区的第二部分。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述有机封装围堰与所述有机封装膜层在垂直于所述显示面板的显示面方向上的高度相同;
优选地,所述有机封装围堰与所述有机封装膜层在垂直于所述显示面板的显示面方向上的高度为8um~12um。
10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括权利要求7-9中任意一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择