[发明专利]用于电子设备的亮色涂层

权利要求书

1.一种装置，所述装置包括：

导电衬底；和

涂层，所述涂层在所述导电衬底上并且具有颜色，所述涂层包括：

粘附和过渡层，和

最上层，所述最上层在所述粘附和过渡层上，所述最上层包括TiCrN膜。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述TiCrN膜是不透明的。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述TiCrN膜的厚度介于0.1微米和1.0微米之间。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，Ti原子在所述TiCrN膜中的原子百分比大于40％且小于60％。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，Cr原子在所述TiCrN膜中的原子百分比大于5％且小于20％。

6.根据权利要求4所述的装置，其中，N原子在所述TiCrN膜中的原子百分比大于25％且小于40％。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，Cr原子在所述TiCrN膜中的原子百分比大于5％且小于20％。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，N原子在所述TiCrN膜中的原子百分比大于25％且小于40％。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述粘附和过渡层包括在所述衬底上的Cr晶种层和在所述Cr晶种层上的CrN过渡层，所述TiCrN膜层叠在所述CrN过渡层上。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述涂层具有在CIELAB色彩空间中大于75的L*值、在所述CIELAB色彩空间中介于0和5之间的a*值，以及在所述CIELAB色彩空间中介于10和15之间的b*值。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括腕表，并且所述导电结构包括所述腕表的导电外壳壁。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述TiCrN膜借由高脉冲磁控溅射(HiPIMS)工艺而沉积在所述粘附和过渡层上。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述粘附和过渡层借由非HiPIMS磁控溅射工艺而沉积在所述衬底上。

14.一种装置，所述装置包括：

导电衬底；和

涂层，所述涂层在所述导电衬底上并且具有颜色，所述涂层包括：

粘附和过渡层，和

最上层，所述最上层在所述粘附和过渡层上，其中，所述最上层包括TiCrCN膜，并且其中，Cr原子在所述TiCrCN膜中的原子百分比大于或等于12％。

15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述涂层具有在CIELAB色彩空间中大于75的L*值、在所述CIELAB色彩空间中介于0和5之间的a*值，以及在所述CIELAB色彩空间中介于10和20之间的b*值。

16.根据权利要求15所述的装置，其中，Cr原子在所述TiCrCN膜中的原子百分比小于20％。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，Ti原子在所述TiCrCN膜中的原子百分比大于40％且小于60％。

18.根据权利要求17所述的装置，其中，所述装置包括移动电话，并且所述导电结构包括所述移动电话的导电外壳壁。

19.根据权利要求18所述的装置，其中，所述TiCrCN膜借由高脉冲磁控溅射(HiPIMS)工艺而沉积在所述粘附和过渡层上。

20.一种装置，所述装置包括：

导电衬底；和

涂层，所述涂层在所述导电衬底上并且具有颜色，所述涂层包括：

粘附和过渡层；和

最上层，所述最上层在所述粘附和过渡层上，其中，所述最上层包括选自以下各项所组成的组中的膜：TiN膜、TiNSiC膜、ZrN膜、ZrNC膜、ZrNSi膜、ZrNSiC膜、HfN膜、HfNC膜、HfNSi膜、HfNSiC膜、CrN膜和CrNSi膜。