[发明专利]发光器件、发光基板及发光装置有效
| 申请号： | 202111013747.7 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113725377B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘杨;陈雪芹;邱丽霞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/11 | 分类号： | H10K50/11;H10K50/12;H10K59/10;H10K101/40 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 李文博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 装置 | ||
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
层叠设置的第一电极和第二电极；
设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；
所述发光层的材料包括主体材料和客体材料，所述主体材料包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料中的多数载流子和所述第二主体材料中的多数载流子的极性相反，且所述第一主体材料的多数载流子为空穴；
其中，所述第一主体材料的HOMO能级和所述第二主体材料的HOMO能级之差的绝对值小于或等于0.4eV，所述第一主体材料的LUMO能级和所述第二主体材料的LUMO能级之差的绝对值小于或等于0.4eV；
所述客体材料的HOMO能级与所述第一主体材料的HOMO能级之差的绝对值小于或等于0.4eV；所述客体材料的LUMO能级与所述第二主体材料的LUMO能级之差的绝对值小于或等于0.4eV；
所述第一主体材料的归一化发射光谱和第二主体材料的归一化吸收光谱之间具有交叠区域；
所述交叠区域的积分面积大于或等于所述第一主体材料的归一化发射光谱的积分面积的10％。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第二主体材料为TADF材料。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料和所述第二主体材料之间不形成激基复合物。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料的最低单线态激子能量与所述第二主体材料的最低单线态激子能量之差大于或等于0.1eV，所述第一主体材料的最低三线态激子能量与所述第二主体材料的最低三线态激子能量之差大于或等于0.1eV。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料的最低单线态激子能量大于或等于2.7eV小于或等于3.3eV，所述第二主体材料的最低单线态激子能量大于或等于2.3eV小于或等于2.8eV；
所述第一主体材料的最低三线态激子能量大于或等于2.5eV小于或等于3.1eV，所述第二主体材料的最低三线态激子能量大于或等于2.2eV小于或等于2.7eV。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述客体材料为磷光材料；
所述第二主体材料的最低三重态激子能量与所述客体材料的最低三重态激子能量之差大于或等于0.1eV。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，
所述客体材料的最低三重态激子能量大于或等于2.1eV小于或等于2.6eV。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料的HOMO能级大于或等于-5.6eV小于或等于-5.3eV，所述第二主体材料的HOMO能级大于或等于-5.8eV小于或等于-5.4eV；
所述第一主体材料的LUMO能级大于或等于-2.4eV小于或等于-2.0eV，所述第二主体材料的LUMO能级大于或等于-2.6eV小于或等于-2.2eV。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述客体材料的HOMO能级大于或等于-5.5eV小于或等于-5.0eV，所述客体材料的LUMO能级大于或等于-3.0eV小于或等于-2.5eV。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111013747.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
