[发明专利]非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜，其特征在于，其包括如下原子百分比组分：

钛：20～35％；

锆：20～35％；

钒：20～35％；

铜：2.0～8.0％；

余量为杂质；

所述非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜呈非晶态特征，表面致密无孔隙，所述非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜的平均厚度为1μm～3μm，所述非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜的平均表面粗糙度为6-7nm，所述非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜的电阻率≤0.03Ω·m。

2.根据权利要求1所述的非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜，其特征在于，包括如下原子百分比组分：

钛：25～33％；

锆：25～33％；

钒：25～33％；

铜：2.0～8.0％；

余量为杂质。

3.一种权利要求1-2任意一项所述的非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基体材料上采用磁控溅射方法沉积形成Ti、Zr、V、Cu四种元素的致密层薄膜。

4.根据权利要求3所述的非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射方法中采用的靶材为Ti-Zr-V-Cu合金，所述靶材的纯度≥99.5％；溅射气体为Kr，采用脉冲直流溅射法。

5.根据权利要求4所述的非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射方法包括如下工艺：电流0.1～0.5A，工作压强5～15Pa，沉积时间10～20h，磁场电流强度100～200A。

6.根据权利要求3-5任意一项所述的非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜的制备方法，其特征在于，所述基体材料为无氧铜OFC。