[发明专利]面发射激光器的测定方法、制造方法及测定装置、记录介质在审
申请号: | 202111015048.6 | 申请日: | 2021-08-31 |
公开(公告)号: | CN114300947A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 久保田良辅 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/42 | 分类号: | H01S5/42;G01M11/00 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 霍玉娟;张刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 激光器 测定 方法 制造 装置 记录 介质 | ||
本发明提供面发射激光器的测定方法、制造方法及测定装置、记录介质,能够测定出面发射激光器的光的正确的光谱。面发射激光器的测定方法具有:使面发射激光器发光的步骤;以及使光学系统的光轴分别与所述面发射激光器的多个位置一致来分别对所述多个位置处的光谱进行测定的步骤。
技术领域
本公开涉及面发射激光器的测定方法、制造方法及测定装置以及保存有面发射激光器的测定程序的记录介质。
背景技术
作为对面发射激光器(垂直共振型面发射激光器,VCSEL:Vertical CavitySurface Emitting Laser)的特性的评价,有时对光的光谱进行测定(例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-12969号公报
发明内容
发明所要解决的问题
为了对面发射激光器的特性进行评价,测定出射光的正确的光谱很重要。面发射激光器相比端面发射激光器等具有较大的光的出射面(小孔)。光例如具有多个横模,分布在小孔内。因此,难以测定出正确的光谱。因而,目的在于提供能够测定出面发射激光器的光的正确的光谱的面发射激光器的测定方法、制造方法及测定装置以及保存有面发射激光器的测定程序的记录介质。
用于解决问题的手段
本公开所涉及的面发射激光器的测定方法具有:使面发射激光器发光的步骤;以及使光学系统的光轴分别与所述面发射激光器的多个位置一致来分别对所述多个位置处的光谱进行测定的步骤。
本公开所涉及的面发射激光器的制造方法具有:形成面发射激光器的步骤;以及针对所述面发射激光器进行上述的测定方法的步骤。
本公开所涉及的面发射激光器的测定装置具有:使面发射激光器发光的发光部;以及对所述面发射激光器的多个位置处的光谱进行测定的测定部。
本公开所涉及的保存有面发射激光器的测定程序的记录介质使计算机执行:使面发射激光器发光的处理;以及使光学系统的光轴分别与所述面发射激光器的多个位置一致来分别对所述多个位置处的光谱进行测定的处理。
发明效果
根据本公开,能够测定出面发射激光器的光的正确的光谱。
附图说明
图1A是示例实施方式所涉及的测定装置的示意图。
图1B是表示控制部的硬件构成的框图。
图2是示例晶圆的俯视图。
图3A是示例面发射激光器的俯视图。
图3B是小孔的放大图。
图4是示例面发射激光器的制造方法的流程图。
图5是示例特性的测定方法的流程图。
图6A是示例光谱的图。
图6B是示例光谱的图。
图6C是示例光谱的图。
图7A是示例NFP的图。
图7B是示例NFP的图。
图7C是示例NFP的图。
附图标记说明
10:控制部;
12:电信号控制部;
14:位置控制部;
16:发光强度获取部;
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