[发明专利]一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法及系统

权利要求书

1.一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，动态可重构芯片包括PE处理单元阵列、片上互连网络和控制器，其特征在于，包括以下步骤：

(1)只对控制器进行辐照，获得控制器模块的单粒子敏感性σ₁；

(2)对全芯片进行辐照，获得控制器和片上互连网络的配置层敏感性σ₂；

(3)对全芯片进行辐照，获得控制器和片上互连网络的配置层及应用层敏感性σ₃；

(4)对全芯片进行辐照，获得控制器、片上互连网络配置层和PE处理单元阵列的配置层敏感性σ₄；

(5)对全芯片进行辐照，获得控制器、片上互连网络配置层及应用层和PE处理单元的配置层及应用层敏感性σ₅；

(6)根据σ₁、σ₂、σ₃、σ₄、σ₅，得到控制器模块单粒子功能错误截面σ_CC，片上互连网络配置层单粒子功能错误截面σ_CR，片上互连网络应用层单粒子功能错误截面σ_AR，PE处理单元阵列配置层单粒子功能错误截面σ_CPE，和PE处理单元阵列应用层单粒子功能错误截面σ_APE。

2.根据权利要求1所述的一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，其特征在于，所述步骤(1)中，只对控制器进行辐照，根据测试程序P1获取控制器模块的单粒子敏感性σ₁，步骤如下：

(11)通过控制器对片上互连网络和PE处理单元阵列执行测试程序P1相应的配置；

(12)判断PE处理单元阵列和片上互连网络中码流与golden码流是否一致，不一致时记为发生控制器单粒子功能错误，执行步骤(11)并记录控制器单粒子功能错误总数；

(13)循环执行步骤(11)和(12)，控制器单粒子功能错误总数达到10次或离子总注量达到1.0E+07粒子/cm²，则停止辐照，试验结束；

(14)计算控制器单粒子功能错误总数与离子总注量的比值得到控制器模块的单粒子敏感性σ₁。

3.根据权利要求1所述的一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，其特征在于，所述步骤(2)中，对全芯片进行辐照，根据测试程序P2获得控制器和片上互连网络的配置层敏感性σ₂，步骤如下：

(21)通过控制器对片上互连网络执行测试程序P2相应的配置；

(22)判断单粒子功能错误的标志为片上互连网络配置码流与golden码流是否一致，不一致时记为发生控制器和片上互连网络配置层的单粒子功能错误，执行步骤(21)并记录单粒子功能错误总数；

(23)循环执行步骤(21)和(22)，单粒子功能错误总数达到10次或离子总注量达到1.0E+07粒子/cm²，则停止辐照，试验结束；

(24)计算单粒子功能错误总数与离子总注量的比值得到控制器和片上互连网络的配置层敏感性σ₂。

4.根据权利要求1所述的一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，其特征在于，所述步骤(3)中，对全芯片进行辐照，根据测试程序P3及芯片外部输入的测试所需数值，获得控制器和片上互连网络的配置层及应用层敏感性σ₃，步骤如下：

(31)通过控制器对片上互连网络执行测试程序P3相应的配置；

(32)判断控制器和片上互连网络配置层的配置码流与golden码流是否一致，同时监测片上互连网络的应用层功能执行是否正确，不一致或不正确时记为发生控制器和片上互连网络的配置层及应用层的单粒子功能错误，执行步骤(31)并记录单粒子功能错误总数；

(33)循环执行步骤(31)和(32)，单粒子功能错误总数达到10次或离子总注量达到1.0E+07粒子/cm²，则停止辐照，试验结束；

(34)计算单粒子功能错误总数与离子总注量的比值得到控制器和片上互连网络的配置层及应用层敏感性σ₃。