[发明专利]一种提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法

权利要求书

1.一种提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：石英坩埚在装料之前，对石英坩埚进行高温空烧，以使得坩埚内表面形成析晶层。

2.根据权利要求1所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述对石英坩埚进行高温空烧时的空烧温度大于800℃。

3.根据权利要求2所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述高温空烧的时间为2-32h。

4.根据权利要求1-3任一项所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：进行高温空烧的石英坩埚为经过冲洗后的半成品石英坩埚，或者，进行高温空烧的石英坩埚为喷涂有涂层的石英坩埚。

5.根据权利要求4所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述石英坩埚的涂层包括涂覆在石英坩埚内表面的内涂层和/或涂覆在石英坩埚外表面的外涂层。

6.根据权利要求5所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述石英坩埚内涂层涂覆时进行多次第一涂层的涂覆，以便于在所述石英坩埚内表面形成内涂层，包括：

在所述石英坩埚内表面进行多次第一涂层的涂覆；

在最后一次第一涂层的涂覆后对石英坩埚进行加热，进行固化。

7.根据权利要求6所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述在最后一次第一涂层的涂覆后对石英坩埚进行加热，进行固化的步骤中，所述石英坩埚加热温度为大于150℃。

8.根据权利要求6或7所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述内涂层为碱性溶液。

9.根据权利要求8所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述内涂层为氢氧化钡饱和溶液。

10.根据权利要求6或7或9所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：每一次第一涂层涂覆后进行固化，固化时间为20-60min。

11.根据权利要求10所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述石英坩埚在进行内涂层涂覆之前，对所述石英坩埚进行加热，加热温度为150-250℃。

12.根据权利要求6或7或9或11所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述内涂层的厚度为0-0.3mm。

13.根据权利要求5或6所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：在所述石英坩埚的外表面进行外涂层涂覆时为在所述石英坩埚的外表面至少涂覆一层所述外涂层。

14.根据权利要求13所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述外涂层为含有铝成核剂的溶液。

15.根据权利要求14所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述含铝成核剂为含有铝元素的单质或化合物。

16.根据权利要求13所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述外涂层的厚度为0-0.3mm。

17.根据权利要求5所述的提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，其特征在于：所述内涂层的溶液浓度小于所述外涂层的溶液浓度。