[发明专利]一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统

权利要求书

1.一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统，包括气路（1）、第一气体电磁阀（2）、质量流量计（3）、第二气体电磁阀（5）、真空反应腔（6）、气压检测器（7）、控制面板（8）、抽真空机（9）和警报灯（411），其特征在于，还包括混气装置（4），所述气路（1）与混气装置（4）通过气管贯通连接，所述第一气体电磁阀（2）和质量流量计（3）均安装于气路（1）与混气装置（4）之间的气管上，且气路（1）至少设有两道，所述第一气体电磁阀（2）和质量流量计（3）与气路（1）对应设置，所述混气装置（4）与真空反应腔（6）通过气管贯通连接，所述第二气体电磁阀（5）安装于混气装置（4）与真空反应腔（6）之间的气管上，所述混气装置（4）的一侧设有气压检测器（7），所述真空反应腔（6）通过管道与抽真空机（9）贯通连接；

所述混气装置（4）包括混气罐（401）、空心转杆（402）、隔板（405）、分子过滤膜（406）和伺服电机（410），所述混气罐（401）开设有进气口和出气口，所述进气口设于混气罐（401）的顶部，进气口通过气管与气路（1）贯通连接，所述伺服电机（410）固定设于混气罐（401）的顶部中心处，所述空心转杆（402）转动设于混气罐（401）内，且空心转杆（402）的一端贯穿混气罐（401）的内壁延伸到其外部并与伺服电机（410）的输出轴固定连接，所述隔板（405）和分子过滤膜（406）固定设于混气罐（401）内，且隔板（405）设于分子过滤膜（406）的正上方，且隔板（405）和分子过滤膜（406）与混气罐（401）的内壁间隙配合构成初步混合空腔、清洁混气空腔和深度混合空腔；

出气口设于过滤膜层与隔板（405）之间，出气口通过气管与真空反应腔（6）贯通连接，所述空心转杆（402）的外端固定套设有第一混合叶片（407）、第二混合叶片（408）和回旋组件（409），所述第一混合叶片（407）设于隔板（405）的正上方，所述第二混合叶片（408）和回旋组件（409）设于分子过滤膜（406）的正下方，且第二混合叶片（408）设于回旋组件（409）的正上方，所述空心转杆（402）开设有进气孔（403）和出气孔（404），所述进气孔（403）位于隔板（405）的上方，所述出气孔（404）设于回旋组件（409）内；

所述控制面板（8）包括信息采集模块、数据收集模块和分析执行模块；

信息采集模块，用于采集气路（1）系统的流质状况信息和混气装置（4）的混气工况状态信息并将其发送给分析执行模块；

数据收集模块，用于收集真空反应腔（6）的内部反应信息并将其发送给分析执行模块；

分析执行模块，用于接收气路（1）系统的流质状况信息、混气装置（4）的混气工况状态信息和真空反应腔（6）的内部反应信息，对其进行计算得到反应气体均匀变化量和真空反应腔（6）内部的反应变化量，还将反应气体均匀变化量和真空反应腔（6）内部的反应变化量进行对比并产生第一控制信号或第二控制信号，还用于控制对应的部件工作。

2.根据权利要求1所述的一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统，其特征在于，所述第二混合叶片（408）开设有混合孔（4081），所述第二混合叶片（408）在混合孔（4081）处设有回旋片（4085），所述回旋片（4085）覆盖于混合孔（4081）的局部。

3.根据权利要求2所述的一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统，其特征在于，所述回旋片（4085）向外延伸且其剖面呈月牙形，且回旋片（4085）与第二混合叶片（408）为一体化结构。

4.根据权利要求1所述的一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统，其特征在于，所述第二混合叶片（408）与空心转杆（402）之间设有U型连接夹（4082）、固定螺栓（4084）和固定环（4083），所述固定环（4083）的外端固定套接于空心转杆（402）的外端，且U型连接夹（4082）与固定环（4083）固定连接，所述第二混合叶片（408）与U型连接夹（4082）卡接，且第二混合叶片（408）与U型连接夹（4082）通过固定螺栓（4084）固定。