[发明专利]掩模组件和相关联的方法在审
申请号: | 202111018980.4 | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN113721420A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | D·S·G·布龙斯;D·德格拉夫;R·C·M·德克鲁夫;P·詹森;M·克鲁兹加;A·W·诺藤博姆;D·A·史密斯;B·L·M-J·K·维布鲁格;J·N·威利 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F1/62;G03F1/66;G03F1/44;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 苏耿辉 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
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1.一种用于EUV透明表膜的表膜检查工具,所述表膜检查工具包括:
支撑结构,用于支撑:
a)表膜,所述表膜包括由衬底周界支撑的所述EUV透明表膜薄膜,所述衬底周界与所述薄膜交界;或
b)表膜组件,所述表膜组件包括所述EUV透明表膜薄膜和被附接到与所述薄膜交界的所述衬底周界的表膜框架;或
c)掩模组件,所述掩模组件包括所述EUV透明表膜薄膜、被附接到与所述薄膜交界的所述衬底周界的表膜框架、以及被附接到所述表膜框架的掩模;以及
用于测量所述EUV透明表膜的属性以及监测所述属性的改变的装置,所述属性的所述改变与表膜破裂的增加的风险相关联;
其中所述EUV透明表膜被配置成透射入射的EUV辐射的至少65%。
2.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置为使用一种或多种测量技术来测量所述表膜的属性,所述测量技术选自由EUV反射测量、EUV透射测量、双折射测量、椭偏仪、傅立叶变换红外光谱法、拉曼光谱法、X射线反射测量、显微镜检查、共振测量、扫描热负荷测量、归因于压力差的表膜位移的测量、以及抽吸或排气期间的表膜偏转构成的组。
3.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置是红外传感器,所述红外传感器被布置为:(1)测量由所述表膜发出的红外辐射,其中该辐射的波长与所述表膜的温度有关联;或(ii)监测所述表膜的膜的红外吸收的改变,以便检测所述表膜的发射率的局部改变。
4.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置是传感器,所述传感器被布置成监测所述表膜的所述EUV反射中的全局或局部变化。
5.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置是传感器,所述传感器被布置成确定由所述表膜透射的EUV辐射的量。
6.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置成在一系列波长内测量所述表膜的反射中的改变,其中所测量的改变指示所述表膜的材料属性中的改变。
7.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置成测量所述辐射束的极化中的改变,以确定所述表膜的应力中的全局或局部改变。
8.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置成测量来自所述表膜的x射线的镜面反射的强度。
9.根据权利要求8所述的表膜检查工具,还包括x射线束的源,所述x射线束的源被布置成将x射线的束以掠入射角引导到所述表膜上。
10.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置成测量所述表膜组件或所述掩模组件的共振频率中的变化。
11.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置是传感器,所述传感器被布置成测量所述表膜的归因于压力差的偏转的程度。
12.根据权利要求1所述的表膜检查工具,其中所述装置被布置成测量所述表膜中的褶皱的位置和/或所述褶皱的所述位置中的改变。
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