[发明专利]内埋式封装结构在审
申请号: | 202111020185.9 | 申请日: | 2021-09-01 |
公开(公告)号: | CN113851446A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 谢慧英;邱基综;陈证元;丁铨佑;蔡忠信 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内埋式 封装 结构 | ||
本发明的实施例提供了一种内埋式封装结构,包括:引线架,具有第一面以及与第一面相对的第二面,焊接掩模设置为邻近第二面,焊接掩模介于第一面和第二面之间。本发明的目的在于提供一种内埋式封装结构,以增加内埋式封装结构的良率。
技术领域
本申请的实施例涉及内埋式封装结构。
背景技术
对于内埋式封装结构,特别是适用于高功率的电源模块(Power Module)的内埋式封装结构,常以引线架(Lead Frame,LF)为基底制作。关于这种高功率组件,对于爬电距离(creepage distance)卡控比较严格,因此引线架侧壁不能暴露。目前针对此问题,会在背面处以焊接掩模(solder mask,SM)全填来包覆引线架侧壁,虽然引线架在先前制程已被部分蚀刻,但剩余引线架仍有不低的厚度,使得后续SM填充很厚,进而影响热性能。再者对于较厚的SM,在曝光过程中可能因厚度造成产品良率上的损失。
发明内容
针对相关技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种内埋式封装结构,以增加内埋式封装结构的良率。
为实现上述目的,本发明的实施例提供了一种内埋式封装结构,包括:引线架,具有第一面以及与第一面相对的第二面,焊接掩模设置为邻近第二面,焊接掩模介于第一面和第二面之间。
在一些实施例中,引线架具有介于第一面和第二面之间的第三面,第三面距第二面比距第一面更近。
在一些实施例中,第三面比第二面低。
在一些实施例中,引线架还包括由第三面延伸至第一面的第五面,焊接掩模覆盖第五面的第一部分。
在一些实施例中,还包括:介电层,覆盖第一面和第五面的第二部分。
在一些实施例中,介电层和焊接掩模直接接触。
在一些实施例中,介电层和焊接掩模的外侧壁共面。
在一些实施例中,第二部分的面积大于第一部分的面积。
在一些实施例中,还包括:保护层,位于第二面上。
在一些实施例中,保护层覆盖第三面的第三部分。
在一些实施例中,引线架还包括从第二面延伸至第三面的第四面,保护层还覆盖第四面。
在一些实施例中,焊接掩模的厚度小于第四面的高度。
在一些实施例中,焊接掩模覆盖第三面的第四部分,第四部分的面积大于第三部分的面积。
在一些实施例中,引线架包括从第二面朝向第一面凹陷的阶梯结构,焊接掩模设置在阶梯结构上。
在一些实施例中,还包括:线路层,引线架的第一面面向线路层;电子元件,位于由引线架和线路层围成的腔中,电子元件电连接至线路层并且通过线路层电连接至引线架。
在一些实施例中,腔相对于第一面凹陷。
在一些实施例中,还包括:粘合层,位于电子元件和引线架之间,电子元件的主动面面向线路层并且背向粘合层。
在一些实施例中,介电层位于腔中,并且位于电子元件与线路层之间。
在一些实施例中,介电层是模制化合物。
在一些实施例中,引线架的材料包括铜。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1至图3示出了现有的内埋式封装结构的示意图。
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