[发明专利]用于碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的抛光液及抛光方法

权利要求书

1.一种用于碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的抛光液，其特征在于，所述抛光液由非水性溶剂、双氧水和pH调节剂组成，

其中，所述化学机械抛光液的pH为2.5~3.5，所述非水性溶剂选自甲醇或乙醇；所述pH调节剂选自草酸、乳酸和柠檬酸中的一种或多种；

所述双氧水的质量浓度为2~10%，添加量为1ml非水溶剂需要0.01~0.1 ml 双氧水。

2.一种碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的方法，其特征在于，该方法包括步骤：

在室温的条件下以20-60mL/min的流量向抛光垫与碳化硅晶片硅表面之间滴入权利要求1所述的抛光液，对碳化硅晶片的硅面施加0.5~1.0psi的压力进行化学机械抛光。

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的方法，其特征在于，所述抛光垫为自锐性固结磨粒抛光垫。

4.根据权利要求3所述的碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的方法，其特征在于，自锐性固结磨粒抛光垫使用前先使用金刚石修整盘进行修整，修整结束后进行清洗。

5.根据权利要求2所述的碳化硅晶片硅表面化学机械抛光的方法，其特征在于，进行化学机械抛光过程中，抛光垫的转速控制为30-60rpm，抛光时间为3~10min。