[发明专利]干粒保护釉、局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖及其制备方法

权利要求书

1.一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖的制备方法，其特征在于，采用干粒保护釉和透明干粒作为至少部分原料，包括以下步骤：

（a）在坯体表面依次形成底釉层和印花层；

（b）在印花层的局部表面涂覆定位固定液后再布施冰晶干粒以形成干粒层；

（c）采用所述干粒保护釉在坯体的干粒层表面形成干粒保护釉层，得到施釉坯体；

（d）将所述施釉坯体进行烧制和抛光，得到局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖；

按干粒保护釉质量分数为100%计，所述干粒保护釉包括以下质量分数的原料：

透明干粒25-27.5%，抛釉37.5-40%和悬浮剂35-37.5%；

按透明干粒质量分数为100%计，所述透明干粒包括以下质量分数的组分：

SiO₂ 49.50-56.00%，Al₂O₃ 11.00-14.00%，CaO 8.00-10.00%，MgO 1.00-3.00%，K₂O4.00-6.50%，Na₂O 1.50-3.50%，ZnO 5.50-6.50%，余量为杂质；

按抛釉质量分数为100%计，所述抛釉包括以下质量分数的组分：

SiO₂ 65.28-66.50%，Al₂O₃ 20.06-21.58%，Fe₂O₃ 0.13-0.16%，CaO 1.40-1.49%，MgO0.25-0.29%，K₂O 2.30-2.50%，Na₂O 1.77-1.84%，TiO₂ 0.16-0.18%，烧失量为4.00-4.95%，余量为杂质；

所述的干粒保护釉的制备方法包括以下步骤：将配方量的透明干粒、抛釉和悬浮剂混合，得到干粒保护釉。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，按质量分数为100%计，所述干粒保护釉包括以下质量分数的原料：透明干粒25%，抛釉37.5%和悬浮剂37.5%。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，所述冰晶干粒的粒径范围为-150～-200目。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，按冰晶干粒质量分数为100%计，所述冰晶干粒包括以下质量分数的组分：闪光干粒30-35%和透明干粒65-70%。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，按闪光干粒质量分数为100%计，所述闪光干粒包括以下质量分数的组分：

SiO₂ 58.50-60.00%，Al₂O₃ 11.00-13.00%，CaO 8.50-9.00%，MgO 1.00-2.00%，K₂O4.50-6.50%，Na₂O 1.50-2.50%，ZnO 5.50-6.50%，余量为杂质。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（c）中，所述干粒保护釉的比重为1.85-1.90g/mL，施釉量为800-900g/m²。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的制备方法，其特征在于，干粒保护釉层形成的施釉方式包括淋釉法、喷釉法或甩釉法中的任意一种。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（d）中，所述烧制的温度为1198-1200℃，烧制的时间50-55min。

9.一种局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖，其特征在于，采用权利要求1-8任意一项所述的局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖的制备方法制备得到。

10.根据权利要求9所述的局部定位冰晶干粒釉面的陶瓷砖，其特征在于，所述陶瓷砖包括坯体，在所述坯体表面上由内至外依次设置有底釉层、印花层、干粒层和干粒保护釉层，所述干粒层设置于所述印花层的局部表面上。